它可從蒸籃和坩鍋進行碳蒸發、金屬蒸發并且可選濺射附件。
K975X可應用一系列成熟技術，包括鍍碳及TEM覆形，碳/金屬蒸發、低角度Shadowing和通過使用雙源蒸發進行順序涂層，可選的濺射鍍膜附件能適用于各種靶材。
通過使用微處理控制器，更增強了系統的靈活性，用戶很容易附加各種可選件，但是這些“缺省”都是經過優化操作設計，使得全自動和手動操作均可實現操作。
的抽屜式樣品裝載系統使用戶方便放入各種樣品，鉸鏈式頂蓋結構很容易達到系統其它區域。
渦輪分子泵安裝在系統外部，可方便安裝及更換，它的前級真空為旋轉真空泵。 整個抽氣過程為全自動控制，達到高真空后進行蒸發。本儀器為臺式，可方便地進行使用控制，使用中的疏忽也不易造成損壞。
K975S半導體晶圓蒸鍍儀
K975S基于K975X，但是它具有特殊的裝載鎖定門，可允許放入8英寸（200mm）晶圓鍍碳，應用于FIB。
優點
● 容易操作
● 使用靈活
● 可靠的碳蒸發
● 方便的樣品裝載及卸載
● 靈活的操作，可選擇碳及金屬蒸發源
● 在排氣過程中可防止樣品損壞
● 系統靈活性強
● 很容易測量金屬或碳沉積膜厚
技術參數：
儀器尺寸：450mm W x 500mm D x 300mm H
工作腔室：硼硅酸鹽玻璃，帶有鉸鏈式頂蓋。250mm Dia x 300mm H（樣品可達直徑200 mm即8"）
安全鐘罩：聚碳酸酯，維護時工作腔室很容易移開
重量：65Kg
碳槍：高度可調，傾斜0-20o ，使用直徑6.15mm碳棒
渦輪分子泵：100L/Second為標準配置，可選各種尺寸
真空計范圍：ATM - 1x10-7mbar
工作真空達到時間：15分鐘內
操作真空：10-5 mbar量級（可選液氮冷阱）
蒸發源（脈沖或可變控制）：四種模式可選，低電壓
a.c. V, 5V, 15V,25V @ 25 amps. 7V @100 amps
樣品臺：0-45o可傾斜
旋轉樣品臺（可選）：直徑60mm，傾斜0-45o，具有
15rpm 到 45rpm可變速度控制
Services –Argon（對可選濺射附件） - Nominal 4psi.
真空泵：No. 2 泵(2m3/Hr)，complete with Vacuum Hose
& Oil Mist Filter
電源：230V 50/60Hz (包含泵電流為8 Amp)；
115V 50/60Hz (包含泵電流為16 Amp)
注：In Circuits with Current Trips , when using Pulse for
230 v a 16amp minimum for 115 v a 32 amp minimum
可選濺射附件
濺射電流：0到100mA
沉積速率：0到50nm/分（Au）
標準靶：57mm Au（可選Pt, Pt/Pd, Pd, Cr, Ni, Cu, Ag）
定時：0到4分鐘
HT安全互鎖裝置
可選膜厚監測系統
可選輝光放電
主要特點：
特點
● 全自動抽真空系統
● 樣品尺寸可達140毫米見方或200毫米直徑
● 的“anti-stick”碳棒蒸發機構
● 抽屜式樣品裝載系統
● 可選的蒸鍍類型，具有四種蒸發設置
● 約束的或開放的排氣控制
● 可選用各種濺射靶材附件適用于一系列金屬
● 可選膜厚監測系統
