nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA

nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置THERMOCERA

薄膜實驗裝置緊湊型系列，nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置，nanoCVD-8G，nanoCVD-8N，石墨烯/碳納米管合成儀，nanoPVD-S10A磁控濺射裝置，nanoPVD-T15A有機膜/金屬膜沉積裝置，nanoETCH Model.ETCH5A軟蝕刻設備，nanoEM高真空EM鍍膜設備

產品介紹

nanoCVD石墨烯/CNT合成裝置

每批只需30分鐘，即可輕松合成高質量石墨烯和碳納米管

CVD法（化學氣相沉積）

CVD法是一種穩定的技術，已經被建立用于多種用途，并且是考慮未來大規模合成石墨烯和CNT時最現實的方法。我們就在這里。制造商 Moorfield 與英國國家研究院合作多次驗證了該沉積測試設備。在研究機構的合作下，已經證實可以利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數據來創建高質量的石墨烯和碳納米管樣品。

冷壁CVD

采用冷壁式/高溫樣品加熱臺（熱板），反應速度快，重現性好。設備緊湊，處理時間短，可操作性優良，可創建并保存30種合成配方。除了標準的系統配置外，我們還可以根據要求定制設備配置。納米CVD系統雖然很小，但卻是一個具有無限可能性的實驗裝置，為基礎研究和開發領域做出了貢獻。

特征

石墨烯/碳納米管（SWNT）沉積實驗可以輕松進行，無需使用大型設備。

每批只需30分鐘！

冷壁法高效高精度過程控制

快速升溫：RT→1100℃/約3分鐘

高性能機器，具有高精度溫度流量控制和出色的再現性

操作簡單！通過5英寸觸摸屏進行操作和配方管理

最多可以創建和保存 30 個配方和 30 個步驟的合成程序。

標配專用軟件，CSV 文件輸出 PC 上的數據記錄

USB線連接，PC端創建的菜譜可上傳至設備

nanoPVD-S10A磁控濺射裝置

高性能RF/DC磁控濺射設備

連續多層鍍膜、雙源同時鍍膜、APC自動壓力控制

極限壓力：5 x10-5 帕斯卡

多達 3 個源 Φ2" 磁控管陰極

自動多層連續薄膜，可同時薄膜沉積

直觀操作 多功能軟件“Intellidep”

用于連接 Windows PC 的遠程軟件“IntelliLink”

高性能RF/DC磁控管型濺射設備。雖然它很小，但它是一種滿足追求高性能而又不影響薄膜質量（例如一般金屬薄膜、絕緣體和化合物）的用戶的設備。支持多達 3 源陰極、多層連續薄膜和同步沉積（*僅限 RF 和 DC 組合）。有許多選項，例如加熱器、旋轉/升降、磁性材料陰極以及使用電容壓力計的高精度壓力控制。

nanoPVD-T15A有機膜/金屬膜沉積裝置

緊湊、高性能、

高性能有機膜和金屬膜沉積設備

Φ2英寸?Φ4英寸板

緊湊尺寸：804(W) x 560(D) x 600(H)mm

是一款高性能的“有機膜/金屬膜氣相沉積”設備。采用Moorfield的有機沉積源“LTE1”和金屬材料沉積源“TE1-Box屏蔽型”，具有優異的溫度響應性、穩定性和再現性。適用于OLED、OPV、OTFT等有機薄膜沉積以及金屬材料沉積。一種多功能設備，最多可配備2個金屬氣相沉積源和最多4個有機氣相沉積源，還可以進行自動連續多層沉積和同時沉積。