裝置構成
1、GIS罐體：2個獨立氣室，全真模擬GIS母線、殼體及盆式絕緣子。
2、無局放電源：工頻升壓裝置，自身局放量不超過0.5PC。
3、放電模型：內置放電、氣隙放電、懸浮放電、顆粒放電及盆式絕緣子沿面放電共5種模型，可模擬GIS內部前述5種單一缺陷和不同組合缺陷。
4、耦合電容：支持脈沖電流法檢測，滿足GB/T 7354及IEC 60270要求。
5、內置特高頻傳感器：支持特高頻法局部放電帶電檢測，頻率范圍0.3-2GHZ。
6、內置攝像頭：可實時觀察罐體內部放電模型動作情況。
7、根據實際需要，可增配示波器或頻譜分析儀等。
8、其他：盆式絕緣子澆筑口處支持外置特高頻傳感器局放檢測。
內置仿真的放電類型：
本裝置根據GIS主要典型絕緣缺陷研制多種仿真放電模塊：電暈放電、氣隙放電、懸浮放電、顆粒放電及盆式絕緣子沿面放電等各種性質的放電現場。
1、電暈放電
導體和外殼內表面上的金屬突起，以及固體絕緣表面上的微粒。金屬突起通常是在制造不良和安裝損壞擦劃時造成的，導致毛刺且較尖。在穩定的工頻狀態下不引起擊穿，但在快速電壓如沖擊、快速暫態過電壓條件下很危險，易發生絕緣事故。
2、金屬顆粒放電
金屬微粒是的微粒，在制造、裝配和運行中均有可能產生，它有積累電荷的能力。在交流電壓場的影響下能夠移動，在很大程度上運動與放電的可能性是隨機的。當靠近高壓導體且并未接觸時，放電最可能發生，且放電可能性比同樣微粒但為固定物時高10倍左右。
3、懸浮放電
例如靜電屏蔽和其它浮動部件。由松動或浮動部件產生的放電可能性很大，通常易于檢測，放電趨向于反復，其放電電荷在nC到gC間轉變。
4、氣隙放電
絕緣子制造時造成的內部空隙和實驗閃絡引起的表面痕跡，還包括或是因電極的表面粗糙或是來自制造時嵌入的金屬微粒。此外因環氧樹脂與金屬電極的收縮系數不同，也會形成氣泡或空隙。這些GIS的絕緣缺陷類型極有可能會在GIS中產生局部放電，在絕緣體中的局部放電甚至會腐蝕絕緣材料，進一步發展成為樹枝，并最后導致絕緣擊穿。
5、盆式絕緣子沿面放電
當GIS長期運行中在盆式絕緣子的表面難免會沉積一些塵埃，會改變盆式絕緣子的電場分布，從而在物體表面產生爬電(污閃)現象；而長時間的污閃會加速盆式絕緣子的老化。
序號 | 項目 | 技術參數 |
1 | 額定電壓 | 160kV（可根據需求定制各個電壓等級） |
2 | 額定頻率 | 50Hz |
3 | 耦合電容器 | 容量：50pF |
4 | 分壓器變比 | 分壓比：1000/1 |
5 | 裝置局放量 | 在額定電壓下自身放電量：≤0.5pC |
6 | 電脈沖局放檢測 | 帶寬：10-1000 kHz，靈敏度：0.1pC 檢測通道：2 |
7 | 特高頻局放檢測 | 300-2000MHz，靈敏度：1pC |
8 | 超聲波檢測 | 0-400kHz，靈敏度：10pC |
9 | 相 數 | 單相 |
10 | 絕緣介質 | SF6氣體 |
11 | 氣體壓力、年泄露率 | ≤0.35MPa、≤1% |
12 | 視頻電源 | 12VDC |
13 | 工作環境 | 溫度：－15℃～＋55℃；濕度：≤95%，無凝露 |
14 | 設備尺寸(cm) | 210（長）x65（寬）x125（高）（160kV的） |
