陜西天士立科技有限公司，專業從事半導體檢測之“半導體電學測試系統”“半導體可靠性試驗臺”“半導體老化試驗臺”以及氣候環境試驗設備、力學環境試驗設備、參數化脈沖電源、半導體EDA仿真軟件、智慧工廠、碳化硅陶瓷材料、第三方檢測實驗室為一體的科研、制造、開發、服務性品牌。核心團隊匯集了來自院所高校和企業的從事電力電子、芯片開發、電源、軟件等領域人士。產品成熟可靠，久經市場考驗，在替代同類進口產品方面有著突出的優勢。

“半導體檢測”系列產品覆蓋半導體功率器件的初始研發到規模量產再到應用端的全產業鏈。服務領域包括半導體器件及IC上游產業（設計、制造、封裝、IDM廠商、晶圓、DBC襯板）和應用端產業（院所高校、電子廠、軌道機車、新能源汽車、白色家電等......）應用場景主要有器件及IC研發期預演測試、晶圓廠自動化芯片測試、器件及IC后道封裝測試。應用端的來料檢驗、失效分析、器件選型、參數配對、壽命預估等。

“環境試驗設備”包括力學振動臺、沖擊試驗臺、振動溫度濕度三綜合、高低溫環境試驗箱、各類氣候環境試驗箱、熱流儀、精密實時在線高低溫箱。

“電氣工程”產品系列及服務包括電力半導體器件、模塊、組件的研制及綜合檢測設備；電氣自動化設備，電冶、電化學整流裝置；電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應加熱電源，感應加熱爐，變壓器、整流器、電感器、電容器、互感器、傳感器及其配套設備；晶閘管光控高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅動器；遠距離光電傳感轉換軟件控制系統；光電脈沖觸發板、IGBT智能高壓驅動機車調速匯報板；SVC無功靜補裝置等。

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產地	國產	加工定制	否

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業務包含功率器件參數檢測、半導體可靠性檢測、半導體環境老化試驗分析、應用級系統分析、半導體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環境實驗等領域

可控硅檢測試分析產品詳情

可控硅檢測試分析 ** 華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

“華則檢測”專業的第三方檢測機構

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可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”專業的第三方檢測機構。具有CNAS和CMA認證資質，擁有多個設備、專業人員、制度規范的大型綜合“第三方公正檢測實驗單位”，對外提供檢測測試和驗證等服務。

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA：“華則檢測”主要業務包含功率器件參數檢測、半導體可靠性檢測、半導體環境老化試驗分析、應用級系統分析、半導體失效分析、車用分立器件可靠性測試認證、車用功率模塊可靠性測試認證、力學實驗、氣候環境實驗等領域，

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可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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服務目錄

可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

一、失效分析測試·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：開短路檢測 4

(2) 檢測項目：漏電檢測 4

(3) 檢測項目：產品外觀或形貌確認 4

(4) 檢測項目：尺寸測量 4

(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT) 4

(6) 檢測項目：X-ray檢測 5

(7) 檢測項目：推拉力檢測 5

(8) 檢測項目：有害物質檢測 5

(9) 檢測項目：剖面分析 5

(10) 檢測項目：樣品開封 5

二、電學檢測 ·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：直流參數 6

(2) 檢測項目：雪崩能量 6

(3) 檢測項目∶柵極電阻 6

(4) 檢測項目：開關時間（器件級） 6

(5) 檢測項目：開關時間（模塊級） 6

(6) 檢測項目：反向恢復（模塊級） 6

(7) 檢測項目：反向恢復（器件級） 6

(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級） 7

(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級） 7

(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級） 7

(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級） 7

(12) 檢測項目：結電容 7

(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級） 7

(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級） 7

(15) 檢測項目：參數曲線掃描 8

(16) 檢測項目：ESD能力 8

(17) 檢測項目：正向浪涌能力 8

三、應用系統檢測 ·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：電氣參數 9

(2) 檢測項目：保護功能測試 9

(3) 檢測項目：元器件應力測試 9

(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試 9

(5) 檢測項目：絕緣電阻測試 10

(6) 檢測項目：接地電阻測試 10

(7) 檢測項目：低溫測試 10

(8) 檢測項目：高溫測試 10

(9) 檢測項目：高加速壽命/應力測試 10

(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試 10

(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試 10

(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導測試 11

四、可靠性測試 ·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

(1) 檢測項目：功率循環齷 (PC) 12

(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB) 12

(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL) 12

(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL) 12

(5) 檢測項目：高低溫循環試驗(TC) 12

(6) 檢測項目：穩態功率試驗(SSOL) 12

(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應力試驗(UHAST) 13

(8) 檢測項目：預處理試驗(Pre-con) 13

(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB) 13

(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL) 13

(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL) 13

(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB) 13

(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC) 13

(14) 檢測項目：高加速應力試驗(HAST) 14

(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT) 14

(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL) 14

(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability) 14

一、失效分析測試·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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(1) 檢測項目：開短路檢測

? 覆蓋產品：IC

? 檢測能力：滿足128pin及以下引腳IC的open/short測試、曲線跟蹤分析、漏電流測試；Max電壓7V，電壓精度1mV，Max電流 500mA，電礪度 10nA；

? 執行標準：客戶要求

(2) 檢測項目：漏電檢測

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光誘導)兩種偵測方式；加電方式A：電壓20mV-200V，電流10nA-1A，電流精度 10fA；加電方式B：Max電壓3000V，Max電流5A。

? 執行標準：客戶要求

(3) 檢測項目：產品外觀或形貌確認

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數碼成像/Max6000倍；

? 執行標準：客戶要求

(4) 檢測項目：尺寸測量

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：立體成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；數碼成像/Max6000倍；

? 執行標準：客戶要求

(5) 檢測項目：超聲波檢測(SAT)

? 覆蓋產品∶ IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力∶具有分層面積百分比計算，缺陷尺寸標識，厚度與距離測量等功能。可進行A-scan（點掃描）、B-scan（縱向掃描）、 C-scan（橫向掃描）、Through-scan（透射掃描）。

? 執行標準∶GuoJun標

(6) 檢測項目：X-ray檢測

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：High分辨率0.5um。具有空洞面積百分比計算，缺陷尺寸標識，厚度與距離測量等功能。可進行二維掃描、三維CT掃描。

? 執行標準：GuoJun標

(7) 檢測項目：推拉力檢測

? 覆蓋產品∶ IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力測試頭，測試范圍0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力測試頭，測試范圍0-100Kg，推刀接受面寬0-8891um。

? 執行標準∶ GuoJun標

(8) 檢測項目：有害物質檢測

? 覆蓋產品∶IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力∶ 支持鉛（Pb）、鎘（Cd）、汞（Hg）、六價鉻（Cr6+）、多溴聯苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及鹵素等其他化學元素的檢測。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini檢測限可達2ppm。

? 執行標準∶ IEC

(9) 檢測項目：剖面分析

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：金相樣品制備、樣品觀察、樣品染色。

? 執行標準：客戶要求

(10) 檢測項目：樣品開封

? 覆蓋產品：IC，分立器件，模塊等產品

? 檢測能力：激光開封、化學開封、樣品剝層。

? 執行標準：客戶要求

二、電學檢測·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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(1) 檢測項目：直流參數

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE等模塊產品；

? 檢測能力：檢測Max電壓7500V檢測Max電流6000A

? 執行標準：國標，IEC

(2) 檢測項目：雪崩能量

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力：檢測Max電壓2500V檢測Max電流200A

? 執行標準：美軍標

(3) 檢測項目∶柵極電阻

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT及第三代半導體器件

? 檢測能力∶檢測阻抗∶0.1Ω～50Ω

? 執行標準∶JEDEC

(4) 檢測項目：開關時間（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體單管器件；

? 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A

? 執行標準：美軍標，國標，IEC等

(5) 檢測項目：開關時間（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

? 執行標準：國標，IEC

(6) 檢測項目：反向恢復（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

? 執行標準：國標，IEC

(7) 檢測項目：反向恢復（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A

? 執行標準：美軍標，國標，IEC等

(8) 檢測項目：柵極電荷（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：檢測Max電壓2700V檢測Max電流4000A

? 執行標準：國標，IEC

(9) 檢測項目：柵極電荷（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力：Max電壓1200V Max電流200A

? 執行標準：美軍標，國標，IEC等

(10) 檢測項目：短路耐量能力（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：檢測Max電壓2700V，檢測Max電流10000A

? 執行標準：國標，IEC

(11) 檢測項目：短路耐量能力（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力：檢測Max電壓1200V，檢測Max電流1000A；

? 執行標準：美軍標，國標，IEC等

(12) 檢測項目：結電容

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT及第三代半導體單管器件

? 檢測能力：檢測Max電壓3000V

? 執行標準：IEC

(13) 檢測項目：熱阻性能（器件級）

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體單管器件

? 檢測能力：功率250W

? 執行標準：美軍標，JEDEC

(14) 檢測項目：熱阻性能（模塊級）

? 覆蓋產品：IGBT等模塊產品

? 檢測能力：Max功率4000W

? 執行標準：美軍標，JEDEC

(15) 檢測項目：參數曲線掃描

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件的l-V、C-V曲線

? 檢測能力：檢測Max電壓3000V檢測Max電流1500A溫度-70°C~180°C

? 執行標準：美軍標，IEC等

(16) 檢測項目：ESD能力

? 覆蓋產品：MOSFET、IGBT、IC等產品

? 檢測能力：HBMMax電壓8000V；MMMax電壓800V

? 執行標準：美軍標，ANSI，JEDEC等

(17) 檢測項目：正向浪涌能力

? 覆蓋產品：DIODE (Si/SiC)、整流橋；

? 檢測能力：Max電流800A

? 執行標準：美軍標，國標

三、應用系統檢測·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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(1) 檢測項目：電氣參數

? 覆蓋產品：開關電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。

? 檢測能力：低壓AC/DC電源：單相Max輸入電壓/功率為 300V/3KVA；Max輸出電壓/功率：80V/1000W；低壓DC/DC電源：Max輸入電壓/功率為80V/1.2KW；Max輸出電壓/功率： 80V/1000W；直流充電樁電源模塊：三相Max輸入電壓/功率為 500V/30KVA；Max輸出電壓/功率：700V/30KW；電機控制板：直流輸入電壓/功率100V/5KW

? 執行標準：國標，IEC，客戶要求等

(2) 檢測項目：保護功能測試

? 覆蓋產品：開關電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板。

? 執行標準：國標，IEC，客戶要求等

(3) 檢測項目：元器件應力測試

? 覆蓋產品：開關電源(例如低壓AC/DC電源，低壓DC/DC電源，直流充電樁電源模塊等)、電機控制板、鋰電保護板。

? 檢測能力：Max峰值電壓：1.5KV；Max有效值/峰值電流：30A/50A；High溫度：260°C

? 執行標準：元器件規格，客戶要求等

(4) 檢測項目：電氣/抗電強度測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：交流耐壓范圍：(0~5)KV/40mA；直流耐壓范圍：(0~6)KV/9999uA

? 執行標準：國標，IEC，客戶要求等

(5) 檢測項目：絕緣電阻測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ

? 執行標準：國標，IEC，客戶要求等

(6) 檢測項目：接地電阻測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：30A/600mΩ

? 執行標準：國標，IEC，客戶要求等

(7) 檢測項目：低溫測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：Mini溫度：-70℃

? 執行標準：國標，IEC，客戶要求等

(8) 檢測項目：高溫測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：High溫度：~180℃

? 執行標準：國標，IEC，客戶要求等

(9) 檢測項目：高加速壽命/應力測試

? 覆蓋產品∶電子電氣產品

? 檢測能力∶溫度范圍∶（-100～+200）℃℃;溫度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空臺）

? 執行標準∶國標，IEC，客戶要求等

(10) 檢測項目：靜電放電抗擾度測試

? 覆蓋產品∶電子電氣產品

? 檢測能力∶接觸靜電放電電壓范圍∶（±2～±8）KV空氣靜電放電電壓范圍∶（±2～±25）KV

? 執行標準∶國標，IEC，客戶要求等

(11) 檢測項目：雷擊浪涌抗擾度測試

? 覆蓋產品∶電子電氣產品

? 檢測能力∶1.2/50us綜合波的開路電壓范圍∶（0.25～10）KV; 10/700us通訊波的開路電壓范圍∶（0～6）KV;輸出阻抗∶ 1.2/50us綜合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通訊波15Ω和40Ω

? 執行標準∶國標，IEC，客戶要求等；

(12) 檢測項目：電源端子騷擾電壓/傳導測試

? 覆蓋產品：電子電氣產品

? 檢測能力：9KHz~ 30MHz

? 執行標準：國標，IEC，客戶要求等

四、可靠性測試·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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(1) 檢測項目：功率循環齷 (PC)

? 覆蓋產品∶IGBT模塊

? 檢測能力∶△Tj=100℃電壓電流Max1800A，12V

? 執行標準∶ IEC 客戶自定義

(2) 檢測項目：高溫門極試驗(HTGB)

? 覆蓋產品∶MOSFET、SiC MOS等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃;電壓High2000V

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(3) 檢測項目：低溫工作壽命試驗(LTOL)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度Mini-80℃ 電壓High2000V

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(4) 檢測項目：低溫儲存試驗(LTSL)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度Mini-80℃

? 執行標準∶ 美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(5) 檢測項目：高低溫循環試驗(TC)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度范圍∶-80℃~220℃

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(6) 檢測項目：穩態功率試驗(SSOL)

? 覆蓋產品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶△Tj≥100℃，電壓電流Max48V，10A

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(7) 檢測項目：無偏壓的高加速應力試驗(UHAST)

? 覆蓋產品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度130℃ 濕度85%

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(8) 檢測項目：預處理試驗(Pre-con)

? 覆蓋產品∶所有SMD類型器件

? 檢測能力∶設備滿足各個等級的試驗要求

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(9) 檢測項目：高溫反偏試驗(HTRB)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃; 電壓High2000V

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(10) 檢測項目：高溫工作壽命試驗(HTOL)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶溫度High150℃，電壓High2000V

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(11) 檢測項目：高溫儲存試驗(HTSL)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度High150℃;

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(12) 檢測項目：高溫高濕試驗(THB)

? 覆蓋產品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度High180℃ 濕度范圍∶10%~98%

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(13) 檢測項目：間歇壽命試驗(IOL)功率循試驗(PC)

? 覆蓋產品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶△Tj≥100℃ 電壓電流Max48V，10A

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(14) 檢測項目：高加速應力試驗(HAST)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶ 溫度130℃/110℃ 濕度85%

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(15) 檢測項目：高溫蒸煮試驗(PCT)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導體器件等產品及其他電子產品

? 檢測能力∶溫度121℃ 濕度1

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(16) 檢測項目：潮氣敏感度等級試驗(MSL)

? 覆蓋產品∶所有SMD類型器件

? 檢測能力∶設備滿足各個等級的試驗要求

? 執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

(17) 檢測項目：可焊性試驗(Solderability)

? 覆蓋產品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導體器件等單管器件

? 檢測能力∶有鉛、無鉛均可進行

執行標準∶美軍標，國標，JEDEC，IEC，AEC，客戶自定義等

五、其它測試·可控硅檢測試分析_**_華則檢測第三方實驗室CNAS/CMA

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關鍵詞：標準整流橋開關電源電源模塊

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