應(yīng)用領(lǐng)域:
主要用于微電子芯片、太陽(yáng)能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。
RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī),采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對(duì)材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特別適合于大學(xué)、科研院所,微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性?xún)r(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括:
u 介電材料(SiO2、SiNx等)
u 硅基材料(Si,a-Si,poly Si)
u III-V材料(GaAs、InP、GaN等)
u 濺射金屬(Au、Pt、Ti、Ta、W等)
u 類(lèi)金剛石(DLC)