名詞解釋
離子束刻蝕IBE/IBM：使用惰性氣體準直離子束進行表面結構或材料去除
反應離子束蝕刻RIBE：將反應氣體引入離子束源，用于表面反應蝕刻
化學輔助離子束蝕刻CAIBE：使用獨立于離子束的反應氣體對表面進行化學反應以輔助蝕刻
常規屬性
- 可進行離子束刻蝕（IBE、IBM）、反應離子束刻蝕（RIBE）和化學輔助離子束刻蝕（CAIBE）
- 刻蝕角度調整：樣品臺可以旋轉且傾斜可調
- 即使不使用修正擋板，也可獲得的均勻性
- 可使用反應氣體以提高刻蝕速率，并控制刻蝕選擇比
- 通過基于SIMS（二次離子質譜）或光學的截止點探測技術控制工藝
- 可以刻蝕光刻膠晶圓，具有良好的樣品冷卻配置
- 在不同的組合式布局中可以進行全自動載具操作，包括SECS/GEM通訊。
- 重點應用：
表面浮雕光柵SRG的制造，用于AR、MR的器件
隧道磁阻（TMR）傳感器用磁性多層膜
紅外傳感器用超薄鉭酸鋰的制備
集成電路芯片器件的逆向工程
系統性能
scia mill 300 | |
樣品尺寸 | Ф300mm |
| 樣品夾具 | 水冷，氦背板冷卻 轉速：1 - 20 rpm 傾斜：0° - 175° 步長：0.1° |
離子源 | 450mm圓形射頻源RF450-e |
中和器 | 射頻等離子體橋中和器N-RF |
| 參考刻蝕速率 | Pt: 35 nm/min Cu: 44 nm/min W: 17 nm/min SiO2: 20 nm/min（惰性） SiO2: 40-60 nm/min （反應 |
刻蝕均勻性 | ≦ 2.5% (σ/mean) |
產能 | 12 Wafer/h (100 nm SiO2 去除) |
基礎真空度 | 5 x 10-7 mbar |
尺寸（不含電柜與真空泵） | 2.7 m x 1.5 m x 2.0 m （1個工作倉 + 單晶圓載具LoadLock） |
軟件界面 | SECS II / GEM, OPC |
可配置選項
- 單片 Load-Lock（可選）；組合式布局可至3個工作倉和晶圓載具
- 光學截止點探測器OES 或二次離子質譜截止點探測器SIMS
