關鍵詞：體載流子濃度、表面載流子濃度、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻
HEM-500HA高低溫電磁型全自動霍爾效應測試系統(tǒng)本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件組成。為本儀器系統(tǒng)專門研制的CH-320A效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。可單獨做恒流源、微伏表使用。實驗結果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等等。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性工具。
可測試材料：
物理學參數(shù) | 載流子濃度 （Carrier Density） | 103cm-3 ～ 1023cm-3 |
遷移率（Mobility） | 0.1cm2/volt*sec ～108cm2/volt*sec | |
電阻率范圍（Resistivity） | 10-7 Ohm*cm～1010 Ohm*cm | |
霍爾電壓 （Hall voltage） | 0.1uV ～ 10V | |
霍爾系數(shù) | 10-5 ～ 1027cm3/C | |
可測試材料類型 | 半導體材料 | SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP,AlGaAs, HgCdTe和鐵氧體材料等 |
低阻抗材料 | 石墨烯、金屬、透明氧化物、 弱磁性半導體材料、TMR材料等 | |
高阻抗材料 | 半絕緣的GaAs, GaN, CdTe等 | |
材料導電粒子 | 材料的P型與N型測試 | |
磁場環(huán)境 | 磁鐵類型 | 可變極性電磁鐵 |
磁場大小 | 2000mT（極頭間距為：10mm） 1500mT（極頭間距為：20mm） 1000mT（極頭間距為：30mm） 800mT（極頭間距為：40mm） 600mT（極頭間距為：50mm） | |
霍爾效應測試磁場 | 高低溫霍爾效應中極頭間距為40mm，此時磁場最大為800mT | |
均勻區(qū) | 1% | |
最小分辨率 | 0.1Gs | |
可選磁環(huán)境 | 可根據(jù)客戶需求定制相關磁性大小的電磁鐵， | |
電學參數(shù) | 電流源 | 1.00nA-1000.00mA |
電流源分辨率 | 1pA | |
測量電壓 | 0～±10V | |
電壓測量分辨率 | 0.0001mV | |
溫度環(huán)境 | 80K ～ 773K（高低溫溫度調(diào)節(jié)0.1K） | |
控溫精度 | 小于0.05%F.S±1個字 | |
其他配件 | 遮光性 | 外部安裝遮光部件，使得測試材料更加穩(wěn)定 |
樣品尺寸 | 10mm*10mm（標準） 16mm*16mm（最大） | |
箱式機柜 | 600*600*1000mm | |
測試樣片 | 提供中國科學院半導體所霍爾效應 標準測試樣片及數(shù)據(jù)：1套 （硅、鍺、砷化鎵、銻化銦） | |
制作歐姆接觸 | 電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等 | |
