GZP2406 SOI 高溫高穩(wěn)定性壓力傳感器芯片采用6寸MEMS產(chǎn)線加工完成，該壓力敏感芯片由一個彈性膜及集成在膜上的四個電阻組成，四個壓敏電阻形成了惠斯通電橋結構，當有壓力作用在彈性膜上時電橋會產(chǎn)生一個與所加壓力成線性比例關系的電壓輸出信號。
芯片采用SOI結構，可用于180℃的高溫領域，芯片尺寸為2.4mm×2.4mm。
芯片具有良好的線性、重復性和穩(wěn)定性，零點和滿量程溫漂小，優(yōu)異的抗干
產(chǎn)品特點：
·測量范圍0～100kPa…5000kPa
·壓阻式裸芯片
·SOI結構
·絕壓或表壓形式
·低溫漂
·優(yōu)異的穩(wěn)定性、高性價比
·恒壓、恒流供電可選擇
產(chǎn)品用途：
·TPMS傳感器、MAP傳感器、機油壓力測試等汽車電子領域
·空壓機、家電等民用領域
·水泵、消防、潛水、水壩等水壓測試
·石油、煤礦、高鐵、電力等工業(yè)領域
·各種儀器儀表
產(chǎn)品概述：
GZP2406 SOI 高溫高穩(wěn)定性壓力傳感器芯片采用6寸MEMS產(chǎn)線加工完成，該壓力敏感芯片由一個彈性膜及集成在膜上的四個電阻組成，四個壓敏電阻形成了惠斯通電橋結構，當有壓力作用在彈性膜上時電橋會產(chǎn)生一個與所加壓力成線性比例關系的電壓輸出信號。
芯片采用SOI結構，可用于180℃的高溫領域，芯片尺寸為2.4mm×2.4mm。
GZP2406 SOI 高溫高穩(wěn)定性壓力傳感器芯片具有良好的線性、重復性和穩(wěn)定性，零點和滿量程溫漂小，優(yōu)異的抗*力和抗靜電能力，過載能力強，靈敏度高等特點，方便用戶采用運放或集成電路針對輸出進行調(diào)試。
適用于充油隔離及各種簡易封裝的壓力傳感器。
基準條件：
測量介質(zhì)： 空氣
介質(zhì)溫度：（25±1）℃
環(huán)境溫度：（25±1）℃
振 動： 0.1g(1m/s2)Max
濕 度：（50%±10%）RH
電 源：（5±0.005）V DC
