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功率半導(dǎo)體器件IGBT測(cè)試難點(diǎn)及常見測(cè)試指標(biāo)有哪些？2025/07/04: 新能源汽車受800V驅(qū)動(dòng)，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻(xiàn)最大下游市場(chǎng)并帶動(dòng)充電樁、光儲(chǔ)及UPS市場(chǎng)逐步增長(zhǎng)。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級(jí)600-1700V，功率等級(jí)10kW-1MW的硅基IGBT為主要替代對(duì)象.以下五類細(xì)分應(yīng)用成為當(dāng)前及未來的核心潛力領(lǐng)域:800V架構(gòu)帶來的直接性能提升，疊加供給端、應(yīng)用端、成本端多重利好，推動(dòng)新能源汽車成為SiC未來5年核心應(yīng)用陣地。IGBT功率半導(dǎo)體器件測(cè)試難點(diǎn)IGBT是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半

高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)解決方案2025/06/10: 為應(yīng)對(duì)各行各業(yè)對(duì)IGBT的測(cè)試需求，武漢普賽斯正向設(shè)計(jì)、精益打造了一款高精密電壓-電流的IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，可提供IV、CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)，旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET、BJT、IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測(cè)試需求。系統(tǒng)采用模塊化集成的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)，為用戶后續(xù)靈活添加或升級(jí)測(cè)量模塊提供了極大便捷和優(yōu)性價(jià)比，提高測(cè)試效率以及產(chǎn)線UPH。IGBT靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)支持交互

國(guó)產(chǎn)數(shù)字源表搭建鈣鈦礦電池片IV測(cè)試系統(tǒng)方案2025/03/12: 作為新一代太陽(yáng)能電池，鈣鈦礦太陽(yáng)能電池在光伏領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的潛力。目前，鈣鈦礦電池正處在從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化的初期，由于其材料特性的影響，產(chǎn)業(yè)化I-V測(cè)試面臨著巨大的挑戰(zhàn)，傳統(tǒng)的測(cè)試方案存在明顯局限。測(cè)試難點(diǎn)：●性能表征階段，納安級(jí)電流如何精準(zhǔn)測(cè)量？●開路電壓測(cè)量時(shí)，如何避免傳統(tǒng)二線制測(cè)量模式帶來的附加誤差？●批量驗(yàn)證階段，測(cè)試效率如何提升？●常規(guī)測(cè)試設(shè)備軟件功能單一，測(cè)試項(xiàng)如何全面覆蓋？基于數(shù)字源表(SMU)的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池I-V測(cè)試解決方案J致簡(jiǎn)化測(cè)試提高測(cè)試效率單通道I-V測(cè)試/多通道輪詢

如有用SMU數(shù)字源表搭建霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)測(cè)半導(dǎo)體材料2025/03/05: 霍爾效應(yīng)測(cè)試霍爾效應(yīng)是一種電磁感應(yīng)現(xiàn)象，當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過半導(dǎo)體時(shí)，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生一附加電場(chǎng)，如下圖所示。霍爾效應(yīng)測(cè)試中我們一般測(cè)試霍爾電壓VH、電阻率ρ、霍爾系數(shù)RH、載流子濃度n、霍爾遷移率μH等參數(shù)。霍爾效應(yīng)霍爾電壓首先我們測(cè)試霍爾電壓VH，按下圖連接方式連接電路，施加一個(gè)垂直樣品平面的磁場(chǎng)B，然后點(diǎn)擊設(shè)置——輸出設(shè)置，將源表調(diào)為4線前面板輸出模式，再返回主界面點(diǎn)擊測(cè)量，將源表設(shè)置為電流源模式，設(shè)置源限值，點(diǎn)擊“OUTPUT”，向1至3方向輸入電流，測(cè)試2

細(xì)數(shù)數(shù)字源表在光伏行業(yè)的應(yīng)用2025/03/04: 一、太陽(yáng)能電池測(cè)試常見測(cè)試項(xiàng):開路電壓(Voc)、短路電流(ISC)、峰值功率(Pmax)、峰值電壓(Vmax)、峰值電流(Imax)、填充因子(FF)、轉(zhuǎn)換效率(n)。二、常見測(cè)試需求及方案:1、光伏組件IV測(cè)試:1.1單通道測(cè)試:S源表+太陽(yáng)光模擬器+測(cè)試樣品臺(tái)+IV測(cè)試軟件1.2通道輪詢測(cè)試:S源表+LED多通道光源+測(cè)試夾具+通道切換器+IV測(cè)試軟件2、量子效率測(cè)試(光譜響應(yīng)度、外量子效率、內(nèi)量子效率、發(fā)射率/透射率、短路電流密度):產(chǎn)品方案:PXXB系列源表+光源系統(tǒng)+光柵掃描單色儀+

SMU數(shù)字源表搭建晶圓級(jí)微電子材料器件測(cè)試系統(tǒng)2024/12/24: 在半導(dǎo)體材料和器件的研究中，電性能測(cè)試是不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的提升，微電子工藝逐漸復(fù)雜，如何對(duì)微電子材料器件進(jìn)行高效率測(cè)試成為業(yè)內(nèi)關(guān)注的重點(diǎn)。普賽斯儀表陸續(xù)推出多型號(hào)國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表SMU，為進(jìn)一步打通測(cè)試融合壁壘，打造閉環(huán)解決方案，通過對(duì)半導(dǎo)體搞端測(cè)試裝備上下游產(chǎn)業(yè)鏈的垂直整合，晶圓級(jí)微電子材料器件測(cè)試系統(tǒng)應(yīng)運(yùn)而生!普賽斯數(shù)字源表SMU是整個(gè)測(cè)試系統(tǒng)的核心部分，用戶可以根據(jù)材料器件不同的電流、電壓，配置不同規(guī)格參數(shù)的源表和探針臺(tái)。更高效:靈活測(cè)試：體積小巧，節(jié)省實(shí)驗(yàn)臺(tái)空間接線簡(jiǎn)單，無需繁

數(shù)字源表選購(gòu)技巧2024/12/18: 數(shù)字源表也稱為源測(cè)量單元(SMU),集數(shù)字萬用表、電壓源、電流源、電子負(fù)載以及脈沖發(fā)生器、波形發(fā)生器等功能于一體，同時(shí)可精確限流保護(hù)器件不受損壞。在功率半導(dǎo)體測(cè)試，光電子器件研究、晶體管檢定等方面被廣泛應(yīng)用，可以簡(jiǎn)化測(cè)試系統(tǒng)，提高測(cè)試效率，不知道怎么選擇SMU?不妨來“挖一挖”。在選擇源表時(shí)，需要先確認(rèn)待測(cè)DUT的電流電壓最大范圍，以此為參照來選擇源的輸出范圍,這個(gè)輸出范圍是指源表對(duì)外輸出恒定電壓電流的功能范圍，這里需要注意，由于源表有總功率的限制，其輸出不能同時(shí)達(dá)到電流輸出和電壓輸出的最大值。

SiC GaN三代半功率器件測(cè)試挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)測(cè)試方案2024/11/21: 功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起，SiC憑借其高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢(shì)，成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)相追逐的“風(fēng)口”。在實(shí)際應(yīng)用中，搭載碳化硅功率器件的高壓系統(tǒng)通常能夠在短短十多分鐘內(nèi)將電池電量從10%快速充至80%。然而，SiC功率器件在運(yùn)行時(shí)會(huì)承受復(fù)雜的電-磁-熱-機(jī)械應(yīng)力，其電壓電流能力的提升，開關(guān)速度和功率密度的提升，對(duì)器件的性能和可靠性提出了更高的要求。功率半導(dǎo)體器件在使用過程中可能會(huì)因?yàn)槎嘀匾蛩貙?dǎo)致失效，而這些不同因素所引

SMU源表與探針臺(tái)連接示意圖及注意事項(xiàng)有哪些？2024/10/30: 1、前言在半導(dǎo)體和集成電路工藝中，材料、晶圓、芯片的測(cè)試是不可少的環(huán)節(jié)。隨著半導(dǎo)體測(cè)試技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字源表SMU結(jié)合探針臺(tái)的系統(tǒng)組合已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于材料/微小器件的電學(xué)特性驗(yàn)證中。數(shù)字源表SMU具備源測(cè)功能，可以產(chǎn)生電流-電壓(I-V)特性曲線，是半導(dǎo)體材料、器件電性能表征測(cè)量的核心；探針臺(tái)有手動(dòng)、半自動(dòng)和全自動(dòng)三種，根據(jù)測(cè)試需要選擇配套的產(chǎn)品即可。在選用時(shí)需要注意探針的材質(zhì)以及針尖的直徑與形狀，探針材質(zhì)不同，其阻抗也不相同；此外，探針尖磨損和污染也會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果造成影響。在測(cè)試時(shí)，通過數(shù)字源表提

脈沖電流源測(cè)試旁路二極管熱性能方案2024/09/13: 熱斑效應(yīng)：太陽(yáng)能電池一般是由多塊電池組件串聯(lián)或并聯(lián)起來。串聯(lián)支路中可能由于電池片內(nèi)部缺陷或者外部遮擋，將被當(dāng)作負(fù)載消耗其他有光照的太陽(yáng)電池組件所產(chǎn)生的能量。被遮蔽的太陽(yáng)電池組件此時(shí)會(huì)嚴(yán)重發(fā)熱而受損。旁路二極管：是指并聯(lián)于太陽(yáng)能電池板正負(fù)極兩端之間的二極管，能夠有效地防止硅電池片因熱斑效應(yīng)而燒毀，是光伏太陽(yáng)能組件的重要組成部分，旁路二極管的質(zhì)量直接影響著光伏電站的發(fā)電量及使用安全。熱性能測(cè)試旨在確定二極管的溫度特性以及其在連續(xù)工作條件下的最大結(jié)溫。測(cè)試時(shí)將組件加熱到之定溫度，并施加ISC或者1.2

SiC|IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展及其測(cè)試解決方案2024/08/23: SiC/IGBT功率器件應(yīng)用發(fā)展IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件,是由BJT(雙極型晶體管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn),在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。新能源汽車受800V驅(qū)動(dòng)，以主逆變?yōu)榇淼腟iC滲透全面提速，貢獻(xiàn)蕞大下游市場(chǎng)并帶動(dòng)充電樁、光儲(chǔ)及UPS市場(chǎng)逐步增長(zhǎng)。碳化硅器件當(dāng)前以電壓等級(jí)600-1700V，功率等級(jí)10kW-1MW的硅基IGBT為

基于數(shù)字源表的柔性材料形變測(cè)試方案2024/07/25: 柔性材料使用過程中形態(tài)的反復(fù)變化將影響材料的電學(xué)性能及壽命。形變測(cè)試是柔性材料性能表征的重要手段。測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)依賴手動(dòng)測(cè)試，缺乏標(biāo)準(zhǔn)化的測(cè)試系統(tǒng)缺少軟件,難以實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)I-V的變化曲線普賽斯提供標(biāo)準(zhǔn)化、高效率“動(dòng)態(tài)’測(cè)試系統(tǒng)配備多種測(cè)試系統(tǒng)夾具可以模擬出拉、扭、彎、擇、卷等5種基本動(dòng)作，11個(gè)基礎(chǔ)模擬測(cè)試動(dòng)作;配套軟件，自動(dòng)描繪材料的I-V的曲線。柔性材料形變測(cè)試SMU數(shù)字源表認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表武漢普賽斯是國(guó)內(nèi)醉早生產(chǎn)源表的廠家，產(chǎn)品系列豐富：產(chǎn)品覆蓋不同的電壓、電流范圍，產(chǎn)品已經(jīng)過了市場(chǎng)的考驗(yàn)，市

數(shù)字源表測(cè)試導(dǎo)電水凝膠方案2024/07/22: 導(dǎo)電水凝膠將親水性基質(zhì)和導(dǎo)電介質(zhì)有機(jī)結(jié)合起來,是一類兼具良好的可加工性、較高柔韌性和優(yōu)異電化學(xué)性能的新型復(fù)合水凝膠，是未來柔性電子器件的理想材料。水凝膠電導(dǎo)率測(cè)試常用四探針法進(jìn)行測(cè)試，優(yōu)勢(shì)在于分離電流和電壓電極，消除布線及探針接觸電阻的阻抗影響。對(duì)于離子型導(dǎo)電水凝膠，普賽斯P系列源表可提供最窄200us脈沖測(cè)試電壓或電流，消除因直流電場(chǎng)弓|起的離子聚集問題的影響。普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向，深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域，在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn)，先后推出了直流源表，脈沖源表、脈沖恒流源、脈沖恒壓源、功率

SMU源表搭建MOS電容CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)平臺(tái)2024/05/29: 本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)康耐ㄟ^實(shí)驗(yàn)動(dòng)手操作，加深對(duì)半導(dǎo)體物理理論知識(shí)的理解，掌握半導(dǎo)體材料和不同器件性能的表征方法及基本實(shí)驗(yàn)技能，培養(yǎng)分析問題和解決問題的能力。本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)?zāi)夸泴?shí)驗(yàn)一：金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管特性IV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)二：四探針法測(cè)量半導(dǎo)體電阻率測(cè)試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)三：MOS電容的CV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)四：半導(dǎo)體霍爾效應(yīng)測(cè)試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)五：激光二極管LD的LIV特性測(cè)試實(shí)驗(yàn)實(shí)驗(yàn)六：太陽(yáng)能電池的特性表征實(shí)驗(yàn)本科生微電子器件及材料實(shí)驗(yàn)測(cè)試平臺(tái)優(yōu)勢(shì)滿足本科生基礎(chǔ)教學(xué)實(shí)驗(yàn)中

功率半導(dǎo)體器測(cè)試挑戰(zhàn)及應(yīng)對(duì)方案詳解2024/05/10: 功率半導(dǎo)體是電子產(chǎn)業(yè)鏈中最核心的一類器件，能夠?qū)崿F(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和電路控制作用。功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件(含模塊)以及功率IC等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件按照器件結(jié)構(gòu)可分為二極管、晶閘管和晶體管等。以MOSFET、IGBT以及SiCMOSFET為代表的功率器件需求旺盛。根據(jù)性能不同，廣泛應(yīng)用于汽車、充電樁、光伏發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、消費(fèi)電子、軌道交通、工業(yè)電機(jī)、儲(chǔ)能、航空航天和君工等眾多領(lǐng)域。隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn)，功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)

如何用數(shù)字源表簡(jiǎn)化apd的暗電流測(cè)試2024/03/15: 01APD工作原理APD雪崩光電二極管的工作原理是基于光電效應(yīng)和雪崩效應(yīng)，當(dāng)光子被吸收時(shí)，會(huì)產(chǎn)生電子空穴對(duì)，空穴向P區(qū)移動(dòng)，電子向N區(qū)移動(dòng)，由于電場(chǎng)的作用，電子與空穴相遇時(shí)會(huì)產(chǎn)生二次電子，形成雪崩效應(yīng)，從而使電荷載流子數(shù)目增加，電流增大，實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換。圖：APD工作原理02APD測(cè)試挑戰(zhàn)在APD的光電特性中，暗電流是一個(gè)重要的參數(shù)。暗電流是指在沒有光照射的情況下，APD中由于熱激發(fā)等原因?qū)е碌碾娮悠坪碗娮?空穴對(duì)產(chǎn)生而產(chǎn)生的電流，暗電流測(cè)試的準(zhǔn)確性對(duì)于評(píng)估APD的性能和穩(wěn)定性非常重要。在進(jìn)行A

數(shù)字源表iv掃描測(cè)試納米材料電性能方案2024/03/08: 01/納米材料電學(xué)性能的表征和分析/與傳統(tǒng)的材料相比，納米材料具有原子級(jí)厚度、表面平整無懸空鍵、載流子遷移率好等優(yōu)點(diǎn)，其導(dǎo)電性能很大程度依賴于材料本身的帶隙、摻雜濃度和載流子遷移率。同樣的摻雜濃度下，遷移率越大，電阻率越小，導(dǎo)電率就越高。在納米材料/器件電學(xué)性能的表征和分析中，通常采用霍爾效應(yīng)及電阻率測(cè)試法。霍爾效應(yīng)測(cè)試當(dāng)電流垂直于外磁場(chǎng)通過納米材料時(shí)，載流子發(fā)生偏轉(zhuǎn)，垂直于電流和磁場(chǎng)的方向會(huì)產(chǎn)生附加電場(chǎng)，從而在半導(dǎo)體兩端產(chǎn)生電勢(shì)差，這一現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。霍爾效應(yīng)測(cè)試常用的測(cè)試方法是范德堡法，并

如何攻克鈣鈦礦太陽(yáng)能電池電性能測(cè)試技術(shù)壁壘？2024/01/23: 1前言“碳達(dá)峰、碳中和”背景下，發(fā)展新能源成為降低碳排放的第一驅(qū)動(dòng)力。以太陽(yáng)能為代表的清潔能源在市場(chǎng)上的占比大幅提升，與之對(duì)應(yīng)的太陽(yáng)能電池同樣發(fā)展迅速。太陽(yáng)能電池是一種吸收光能產(chǎn)生電能的半導(dǎo)體光電二極管，硅基電池作為第一代太陽(yáng)能電池占據(jù)著市場(chǎng)主導(dǎo)地位；第二代太陽(yáng)能電池為多元化薄膜電池，優(yōu)點(diǎn)在于轉(zhuǎn)化效率高、質(zhì)量小、厚度薄，但其研究原料的環(huán)境污染效應(yīng)頗具爭(zhēng)議；如今，以燃料敏化、量子點(diǎn)、鈣鈦礦為代表的第三代太陽(yáng)能電池逐漸進(jìn)入人們視野。2光伏市場(chǎng)廣闊鈣鈦礦太陽(yáng)能電池機(jī)遇蘊(yùn)于其中目前，全球已有60多個(gè)國(guó)家

半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)—IV+CV測(cè)試儀2023/12/08: 半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)—IV+CV測(cè)試儀概述：SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導(dǎo)體電學(xué)特性測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、快速靈活、兼容性強(qiáng)等優(yōu)勢(shì)。產(chǎn)品可以同時(shí)支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測(cè)試，旨在幫助加快前沿材料研究、半導(dǎo)體芯片器件設(shè)計(jì)以及先進(jìn)工藝的開發(fā)，具有桌越的測(cè)量效率與可靠性。基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，SPA-6100半導(dǎo)體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測(cè)試需要，靈活選配測(cè)量單元進(jìn)行升級(jí)。產(chǎn)品支持Z

數(shù)字源表如何測(cè)試半導(dǎo)體分立器件電性能2023/11/20: 今天給大家講一講半導(dǎo)體界的頂流：分立器件。如何能稱之為頂流？簡(jiǎn)單來說，各位吃瓜群眾在日常生活中用到的、看到的，例如：家用電器、汽車、電腦、手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備......這些設(shè)備的整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、混頻等電路中，半導(dǎo)體分立器件是構(gòu)成電力電子變化裝置的核心器件之一。半導(dǎo)體分立器件根據(jù)基材不同,可分為不同類型。以硅基半導(dǎo)體為基材時(shí),半導(dǎo)體分立器件主要包括二極管(Diode)、三極管(BJT)、晶閘管(SCR)、場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)、絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)等；以寬禁帶材料半導(dǎo)體為基材時(shí),

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