【儀表網(wǎng) 研發(fā)快訊】鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSCs)因其廉價(jià)的材料成本、易于制備大面積器件以及較高的光電轉(zhuǎn)換效率等優(yōu)點(diǎn)受到了廣泛關(guān)注。但是鈣鈦礦的溶液加工和低形成能不可避免地導(dǎo)致在鈣鈦礦層的體內(nèi)和界面上形成大量缺陷。這些缺陷可作為非輻射復(fù)合中心，嚴(yán)重阻礙載流子的傳輸。這最終導(dǎo)致開(kāi)路電壓大幅下降，尤其是在倒置PSCs中的鈣鈦礦與電子傳輸層之間的界面處，因此，鈍化這些缺陷對(duì)實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定的PSCs至關(guān)重要。
 

　　針對(duì)以上問(wèn)題，上海高研院魯林峰、冀曉霏團(tuán)隊(duì)聯(lián)合香港城市大學(xué)Alex K.-Y. Jen教授和付強(qiáng)博士，開(kāi)發(fā)了一種簡(jiǎn)便高效的策略，通過(guò)在原子層沉積(ALD)技術(shù)在鈣鈦礦表面制備超薄氧化鋁(AlOx)層來(lái)精確調(diào)節(jié)鈣鈦礦表面缺陷。研究成果以“Multifunctional Buffer Layer Engineering for Efficient and Stable Wide-Bandgap Perovskite and Perovskite/Silicon Tandem Solar Cells”為題發(fā)表在Angewandte Chemie International Edition上。
 

　　研究發(fā)現(xiàn)，Al3+離子滲入鈣鈦礦層并與鹵化離子相互作用。這種處理方法有助于實(shí)現(xiàn)更好的能級(jí)匹配、抑制離子遷移并同時(shí)將界面載流子損耗降至最低。此外，這種致密夾層的自封裝效應(yīng)可以抑制高溫下的揮發(fā)性離子溢出，提高器件光穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性。因此，ALD-AlOx修飾可將寬帶隙PSCs的光電轉(zhuǎn)換效率從19.32%顯著提高到21.80%。更重要的是，使用AlOx修飾的鈣鈦礦/晶硅疊層太陽(yáng)電池效率達(dá)到了28.50%，且具有良好的穩(wěn)定性。在此基礎(chǔ)上制備的1.55-eV PSC和模組的效率也分別達(dá)到了25.08%(0.04 cm2)和21.01%(15.5 cm2)，證明了該策略的通用性。
 

圖1 通過(guò)ALD-AlOx調(diào)節(jié)鈣鈦礦表面示意圖。
 

　　該工作為制備高效、穩(wěn)定的寬帶隙鈣鈦礦及鈣鈦礦/硅疊層電池提供了有效途徑。論文的第一作者為上海高研院助理研究員冀曉霏博士、研究生丁怡安(共同一作)和香港城市大學(xué)博士研究生畢樂(lè)雨(共同一作)。上海高研院魯林峰副研究員與助理研究員冀曉霏博士和香港城市大學(xué)Alex Jen教授與付強(qiáng)博士為該論文的通訊作者。該研究得到山西省科技廳、香港城市大學(xué)APRC、香港創(chuàng)新科技署科技支援計(jì)劃及香港環(huán)境及生態(tài)局綠色科技基金等項(xiàng)目的支持。