產(chǎn)品簡(jiǎn)介

智能雷電波沖擊電流發(fā)生器，是一種產(chǎn)生模擬雷電流波形的沖擊電流發(fā)生器。由于電流發(fā)生沖擊器波形、最大電流、功能組合和試品種類(lèi)等都有所不同，所以設(shè)備結(jié)構(gòu)都有所不同，一般小型的為臺(tái)式儀器，中型為柜式，大型為分體式。

特性：

1、成套裝置配置完整，電壓等級(jí)齊全；

2、沖擊電壓發(fā)生器回路電感小，并采取帶阻濾波措施，在大電容量負(fù)載下仍能產(chǎn)生標(biāo)準(zhǔn)沖擊電壓波形，負(fù)載能力大，國(guó)內(nèi)*，并運(yùn)用于科研和企業(yè)單位；

3、電壓利用系數(shù)高，雷電波和操作波分別不低于90％和80％；

4、沖擊本體結(jié)構(gòu)緊湊，外形美觀，調(diào)波方便，操作簡(jiǎn)單，同步性能好，動(dòng)作可靠；

5、采用可控硅或LC恒流充電自動(dòng)控制技術(shù)，自動(dòng)化程度高，抗干擾能力強(qiáng)；

6、截波延時(shí)采用電子延時(shí)可調(diào)電路L—C延時(shí)方式；

7、計(jì)算機(jī)控制測(cè)量(光纖PLC控制)系統(tǒng)。

工作過(guò)程

智能雷電波沖擊電流發(fā)生器，是一種產(chǎn)生模擬雷電流波形的沖擊電流發(fā)生器。其工作過(guò)程是：先由變壓器經(jīng)硅堆向電容器組充電，當(dāng)充電電壓達(dá)預(yù)定值時(shí)，火花間隙被觸發(fā)，電容經(jīng)回路總電感和總電阻放電。當(dāng)電阻大于或等于臨界阻尼值時(shí)，在回路中產(chǎn)生單向的沖擊電流波。當(dāng)電阻小于臨界阻尼值時(shí)，則產(chǎn)生振蕩沖擊電流波。沖擊電流幅值的大小與回路參數(shù)有關(guān)，在相同的電容值與充電電壓時(shí)，電感值越小，電流幅值就越大。為了獲得盡可能大的電流，通常要選用電感值小的脈沖電容器，并在布置主電容器時(shí)連接線的總長(zhǎng)度應(yīng)盡可能短，使回路總電感值盡可能減小

技術(shù)參數(shù)

1、標(biāo)稱(chēng)雷電波沖擊電壓：JT1205-400kV

2、標(biāo)稱(chēng)容量(能量)：20kJ

3、級(jí)電容：1μF,100kV（MWF100kV-1μF）干式全絕緣封裝

4、級(jí)電壓：±100kV

5、級(jí)數(shù)/級(jí)容量：4/ 5kJ

6、輸出波形：

1）標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊全波電壓波形：

波頭時(shí)間:1.2±30%μs，波尾時(shí)間:50±20%μs，過(guò)沖：小于5%，效率：不低于90%。±1.2/50μs標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊電壓全波，效率大于90%。

2）標(biāo)準(zhǔn)雷電沖擊截波電壓波形：（選配）
波頭時(shí)間:1.2±30%μs，過(guò)沖：小于5%，截?cái)鄷r(shí)間:2~6μs，電子時(shí)延控制，效率：不低于90%，采用截?cái)嘌b置可產(chǎn)生截?cái)鄷r(shí)間2~6μs的雷電截波，截波分散性小于100ns。

3）標(biāo)準(zhǔn)操作沖擊電壓波形：（選配）

250±20%/2500±60%μS，峰值處振蕩不大于幅值5%。

4）雷電沖擊陡波：（選配）

陡度 S＞2500 kV/μS

部分響應(yīng)時(shí)間  Tα≤5ns

過(guò)沖  β≤20％

7、同步范圍：大于20%

8 、使用持續(xù)時(shí)間：

小于80%額定工作電壓時(shí)可連續(xù)工作

大于80%額定工作電壓時(shí)可間斷工作

9 、幅值調(diào)節(jié)誤壓差小于1%，更低輸出電不大于10%設(shè)備標(biāo)稱(chēng)電壓。

10、同步誤動(dòng)率：小于1%。

注：雷電沖擊電壓試驗(yàn)裝置,產(chǎn)品外觀以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn)，技術(shù)參數(shù)與型號(hào)如有變動(dòng)，恕不另行通知。