壓變電阻測試儀
可測試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)
（測試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）
主極輸出 2000V / 50~1250A，分辨率*高至1mV / 10pA
MOV / 金屬氧化物壓變電阻 測試參數(shù)包括： ID+ ID-；VN+； VN-；VC+
產品系列
晶體管圖示儀
半導體分立器件測試篩選系統(tǒng)
靜態(tài)測試（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
動態(tài)測試（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
環(huán)境老化測試（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
熱特性測試（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可測試 Si/SiC/GaN 材料的IGBTs/MOSFETs/DIODEs/BJTs/SCRs等功率器件
歡迎垂詢：Tel:173 -4295 -2894
壓變電阻測試儀
ST-DC2000_R
可測試 19大類27分類 大中小功率的 分立器件及模塊的 靜態(tài)直流參數(shù)
（測試范圍包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）
主極輸出 2000V / 50~1250A，分辨率*高至1mV / 10pA
MOV / 金屬氧化物壓變電阻 測試參數(shù)包括： ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；
VARISTOR / 壓變電阻 測試參數(shù)包括： ID+； ID-；VC+ ；VC-
支持曲線掃描圖示功能
壓變電阻測試儀
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? 產品應用
應用領域
適用于院所、高校、半導體器件生產廠商、電源、變頻器、逆變器、變流器、數(shù)控、電焊機、白色家電、新能源汽車、軌道機車等所有的半導體器件應用產業(yè)鏈 ……
主要用途
? 測試分析（功率器件研發(fā)設計階段的初始測試）
? 失效分析（對失效器件進行測試，查找失效機理。以便于對電子整機的整體設計和使用過程提出改善方案 ）
? 選型配對（在器件焊接至電路板之前進行全部測試，將測試數(shù)據(jù)比較*的器件進行分類配對）
? 來料檢驗（研究所及電子廠的質量部（IQC）對入廠器件進行抽檢/全檢，把控器件的良品率）
? 產線自動化測試（可連接機械手、掃碼槍、分選機等各類輔助機械設備，實現(xiàn)規(guī)模化、自動化測試）
? 產品簡述
產品的擴展性強，通過選件可以提高電壓、電流和測試品種范圍。在PC窗口提示下輸入被測器件的測試條點擊即可完成測試任務。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應結構的測試插座，自動補償由于系統(tǒng)內部及測試電纜長度引起的任何壓降，保證測試結果準確可靠。面板顯示裝置可及時顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測試結果,前面板的功能按鍵方便了系統(tǒng)操作。通過功能按鍵，系統(tǒng)可以脫離主控計算機獨立完成多種工作。
曲線追蹤儀（晶體管圖示儀）功能則是利用高速ATE測試步驟逐點生成曲線，可快速而準確地生成精確的數(shù)據(jù)點。數(shù)據(jù)增量是可編程的線性或對數(shù)，典型的每步測試時間為6到20ms。一個兩百條數(shù)據(jù)點曲線通常只需幾秒鐘就能完成。使用該系列跟蹤儀更容易獲取諸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲線數(shù)據(jù)。此外， 針對多條曲線，設備可以根據(jù)每條曲線的數(shù)據(jù)運行并將所獲數(shù)據(jù)自動發(fā)送到一個單獨的 Excel 工作表。系統(tǒng)能夠更快，更簡潔的創(chuàng)*線（單擊，雙擊，選擇輸入菜單，單擊）。就是這么簡單。
設備支持在單個 DUT 上運行高達 10 條不同曲線的能力，在運行過程中，每個圖表都是可視的，每個數(shù)據(jù)集都被加載到一個被命名的 Excel 工作表中。系統(tǒng)運行速度快，可進行數(shù)據(jù)記錄，提供更高級的數(shù)據(jù)工具箱，能夠運行多條曲線并自動排序，自動將數(shù)據(jù)存入 Excel 表格，具有縮放功能，光標重新運行功能以及其他許多優(yōu)點。
系統(tǒng)提供與機械手、探針臺、電腦的連接口，可以支持各種不同輔助設備的相互連接使用。
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? 產品特點
?測試范圍廣（19大類，27分類）
?升級擴展性強，通過選件可提高電壓電流，和增加測試品種范圍。支持電壓電流階梯升級至2000V,1250A
?采用脈沖測試法，脈沖寬度為美軍標規(guī)定的300us
?被測器件引腿接觸自動判斷功能，遇到器件接觸不良時系統(tǒng)自動停止測試, 保證被測器件不受損壞
?真正的動態(tài)跨導測試。（主流的直流方法測動態(tài)跨導 ，其結果與器件實際值偏差很大）
?系統(tǒng)故障在線判斷修復能力，便于應急處理排障
?二極管極性自動判別功能，無需人工操作
?IV 曲線顯示 / 局部放大
?程序保護*大電流/電壓,以防損壞
?品種繁多的曲線
?可編程的數(shù)據(jù)點對應
? 增加線性或對數(shù)
?可編程延遲時間可減少器件發(fā)熱
?保存和重新導入入口程序
?保存和導入之前捕獲圖象
?曲線數(shù)據(jù)直接導入到 EXCEL
?曲線程序和數(shù)據(jù)自動存入 EXCEL
歡迎垂詢：Tel:173 -4295 -2894
? 測試能力
| 序號 | 測試器件 | 測試參數(shù) |
| 01 | IGBT | ICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS |
| 02 | MOSFET / MOS場效應管 | IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS |
| 03 | J-FET / J型場效應管 | IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF |
| 04 | 晶體管（NPN/PNP） | ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF |
| 05 | DIODE / 二極管 | IR；BVR ；VF |
| 06 | ZENER / 穩(wěn)壓、齊納二極管 | IR；BVZ；VF；ZZ |
| 07 | DIAC / 雙向觸發(fā)二極管 | VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-, |
| 08 | OPTO-COUPLER / 光電耦合 | ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode) |
| 09 | RELAY / 繼電器 | RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME |
| 10 | TRIAC / 雙向可控硅 | VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH- |
| 11 | SCR / 可控硅 | IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH |
| 12 | STS / 硅觸發(fā)可控硅 | IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW- |
| 13 | DARLINTON / 達林頓陣列 | ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON |
| 14 | REGULATOR / 三端穩(wěn)壓器 | Vout；Iin； |
| 15 | OPTO-SWITCH / 光電開關 | ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF |
| 16 | OPTO-LOGIC / 光電邏輯 | IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF |
| 17 | MOV / 金屬氧化物壓變電阻 | ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ； |
| 18 | SSOVP / 固態(tài)過壓保護器 | ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- |
| 19 | VARISTOR / 壓變電阻 | ID+； ID-；VC+ ；VC- |
歡迎垂詢：Tel:173 -4295 -2894
