上海伯東日本*適合中等規模量產使用的 Hakuto 離子刻蝕機, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻
Hakuto 離子蝕刻機 IBE 主要優點:
1. 干式制程的微細加工裝置, 使得在薄膜磁頭, 半導體元件, MR sensor 等領域的開發研究及量產得以廣泛應用.
2. 物理蝕刻的特性, 無論使用什么材料都可以用來加工, 所以各種領域都可以被廣泛應用.
3. 配置使用美國考夫曼離子源
4. 射頻角度可以任意調整, 蝕刻可以根據需要做垂直, 斜面等等加工形狀.
5. 基板直接加裝在直接冷卻裝置上, 所以可以在低溫環境下蝕刻.
6. 配置公轉自轉傳輸機構, 使得被蝕刻物可以得到比較均勻平滑的表面.
7. 機臺設計使用自動化的操作流程, 所以可以有非常友好的使用生產過程.
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C技術參數:
φ4 inch X 6片 | 基板尺寸 | < Ф3 inch X 8片 |
可選 |
樣品臺 | 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻0-90度旋轉 | ||
離子源 | 20cm 考夫曼離子源 | ||
均勻性 | ±5% for 8”Ф | ||
硅片刻蝕率 | 20 nm/min | ||
溫度 | <100 |
Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 組成:
Hakuto 離子蝕刻機通氬氣 Ar 不同材料的蝕刻速率:
