化學束外延起源于上個世紀80年代，它結合了分子束外延（MBE）和化學氣相沉積（CVD）技術的優(yōu)點，適用于生長III-V族半導體薄膜，也可以用于Si, Si_xGe_1-x, FeSi₂薄膜沉積, 以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO₃, 超導氧化物, TiO₂, Al₂O₃, 摻鉺Al₂O₃, Y₂O₃, CdO, HfO₂, LiNbO₃, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO₂等。

化學束外延借用CVD（反應前驅體分子通過氣相傳輸?shù)郊訜嵋r底上）及MBE（前驅體流分子束本質——分子軌跡視線）的概念。一般說來，化學束外延的真正價值在過去并未得到承認，大多數(shù)熟悉這種技術的人都發(fā)現(xiàn)化學束外延很復雜，并且上世紀90年代化學束外延的各種優(yōu)勢的結合未被*挖掘，而這種結合卻是現(xiàn)在制造復雜設備的關鍵所在。目前，我們代理的設備是經過20年的持續(xù)不斷研發(fā)，將設簡單易用、工藝優(yōu)化、所有的優(yōu)點和設施集中于一套可靠的設備中。

       實驗證明化學束外延具有顯著的優(yōu)點，例如：

•    可控多元素材料沉積及摻雜，例如GaAsInP

•    6’’襯底均勻性：無旋轉+/-1.5%，旋轉+/-0.5%                     •    沉積大面積薄膜：直徑100mm - 450mm或更大

•    前驅體轉化率高，生長速率10 nm/h至20μm/h                       •    歐盟項目支撐: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM

•    已經商業(yè)化薄膜: TiO₂, Al₂O₃, Ta₂O₅, Nb₂O₅, HfO₂            •    超高真空原位診斷技術、自組裝結構、工藝溫度很低

•    可以一步實現(xiàn)復雜形狀和（成分/厚度）梯度薄膜材料    •    無氣相反應、工藝靈活（從外延生長到高度多孔材料）

設備配置：

1.       熱漆外框架容納所有元件，標準RAL7035顏色；          2.       支持多達6種前驅體，專有熱源技術可達200℃；

3.       主要反應腔體采用可調熱內壁，圓柱形液氮冷阱圍繞樣品臺；可遠程控制，電腦監(jiān)控各種參數(shù)；

4.       輻射加熱襯底溫度可達700℃，其他加熱器支持襯底溫度可達1400℃；

5.       真空系統(tǒng)用組合泵：250l/s分子泵+10m³/h干泵；       6.       配備全自動Load-Lock，等離子體清洗功能可選。

7.       在樣品生長過程中激光/電子/離子束輻照單元。

8.      可逆組裝：（無襯底旋轉）均勻性優(yōu)于±2%，（有襯底旋轉）均勻性優(yōu)于+/-0.5%；組合配置用以生長梯度樣品：

         厚度梯度支持1個前驅體，化學成分梯度支持2-6個。兩種方式通過程序控制切換。