關鍵詞：金屬膜、氧化膜、分子束外延、MBE、化學束外延、CVD、激光輔助
GSMBE、MOMBE、半導體膜、氧化膜、III-V族、 氣源分子束外延
InAs/GaAs量子點激光器、GeSi/Si、GaN、InGaAs/InGaAsP
化學束外延生長法（Chemical Beam Epitaxy）是在分子束外延（MBE）和化學氣相沉積(CVD)基礎上發展起來的，通常用激光輔助化學束沉積方法可以制備各種半導體膜材、氧化物膜材。
化學束外延生長系統
化學束外延 （Chemical Beam Epitaxy）融合了分子束外延(MEB)和化學氣相沉積(CVD)優點，可以用來生長III-V族半導體薄膜，也可以用來沉積Si, SixGe1-x, FeSi2薄膜，以及氧化物薄膜，包括但不限于LiTaO3, 超導氧化物, TiO2, Al2O3, 摻鉺Al2O3, Y2O3, CdO, HfO2, LiNbO3, MgO, ErSiO, ZnO, ZrO2等。CBE已經顯示出非常顯著的*性，例如：
• 可控沉積和多元（3-5元、6元）摻雜、例如沉積GaAsInP；成分和厚度均勻性高（2% @直徑300mm，無襯底旋轉）；
• 樣品生長速率范圍大（10 nm/h至10μm/h）；前驅體轉換率*；襯底尺寸靈活：直徑100 - 300mm或更大尺寸襯底；
• 按照設定模型，可一次性在一個襯底上生長高匹配的成分梯度或厚度梯度樣品，以研究成分和厚度對薄膜性能的影響
• 準分子激光束/離子束/電子束輔助沉積3D復雜結構，在亞微米尺度上研究結構、形狀和尺寸對納米結構性能的影響；
• 獲得多個歐盟項目支撐: 3D-DEMO, NUOTO, NANOBIUM；多種薄膜已經商業化：TiO2, Al2O3, Ta2O5, Nb2O5, HfO2等；
設備配置：
1. 熱漆外框架容納所有元件，標準RAL7035顏色；
2. 專有熱源技術可達200℃，支持多大6種前驅體；
3. 主要反應沉積腔體采用可調熱內壁，圓柱形液氮冷阱圍繞樣品臺。遠程控制，電腦監控各種參數；
4. 輻射加熱襯底溫度可達700℃，其他加熱器支持襯底溫度達1400℃；
5. 真空系統采用250l/s分子泵+10m3/h干泵；
6. 全自動Load-lock，等離子體清洗可選。
7. 生長過程中激光/電子/離子束輻照單元。
8. 可逆組裝：(無襯底旋轉)均勻性可達±2%, (有襯底旋轉)均勻性可達+/-0.5%；
或組合配置用以生長梯度樣品：厚度梯度支持1個前驅體，化學成分梯度支持2-6個。
兩種方式可以通過程序控制可切換。
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