霍爾效應測試儀，是用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等重要參數，而這些參數是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。
該儀器為性能穩定、功能強大、性價比高的霍爾效應儀,在國內高校、研究所及半導體業界擁有廣泛的用戶和知*度。儀器輕巧方便，易于攜帶，主要用于量測電子材料之重要特性參數，如載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數等，薄膜或固體材料均可。
本儀器系統由：電磁鐵、高精度電源、高斯計、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾探頭、電纜、標準樣品、樣品安裝架、系統軟件。
技術指標：
* 磁 場：間距 10mm情況下10700 高斯，間距20mm 情況下7000 高斯。
*樣品電流：50nA~50mA（*小可調節電流為 0.1nA）
*測量電壓：0.1uV~30V
* 提供各類測試標準材料，各級別霍爾器件（靈敏度與精度不同）
**小分辨率：1GS
*磁場范圍：0-±1T
*配合高斯計或數采板可與計算機通訊
* I-V 曲線及 I-R 曲線測量等 ▲ 電阻率范圍：10-7~1012 Ohm*cm
*電阻范圍：10 m Ohms~ 6MOhms
*載流子濃度：103~1023cm-3
*遷移率：0.1~108cm2/volt*sec
*測試全自動化，一鍵處理
*專業的歐姆接觸組合套件
樣品測試：
設置控制電流、磁場和霍爾片厚度，點擊“開始測試”按鈕，軟件將完成一鍵測試過程，直至計算出所有霍爾參數。每次測試完后，可選擇保存該計算結果值，然后點擊“**顯示”按鈕，以進入下一次測試。
若保持磁場大小不變，改變控制電流的大小，可通過畫圖操作觀察Is 與 VH的關系；若保持控制電流大小不變，改變磁場的大小，可通過畫圖觀察 B 與 VH 的關系。
