霍爾效應測試儀—高低溫磁場型本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。 變溫霍爾效應測試儀高低溫磁場型0.1GS分辨

產(chǎn)品概述：

本儀器系統(tǒng)由：電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源高精度電壓表、高斯計、霍爾效應樣品支架、標準樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10 效應儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實驗的連線與操作。JH10 可單獨做恒流源、微伏表使用。用于測量半導體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導體材料電學特性必須預先掌控的，因此霍爾效應測試系統(tǒng)是理解和研究半導體器件和半導體材料電學特性必*的工具。 實驗結(jié)果由軟件自動計算得到，可同時得到體載流子濃度(Bulk Carrier oncentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等。 變溫霍爾效應測試儀高低溫磁場型0.1GS分辨

可測試材料: ?

半導體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等；

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導體材料、TMR 材料等；

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等。