科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200 standard原子層沉積技術(shù),具有的熱壁設(shè)計和單獨(dú)的入口，可實現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料。
科研型原子層沉積系統(tǒng)具有專有的Picoflow™技術(shù)，即使在挑戰(zhàn)性的通孔，超高長寬比和納米顆粒樣品上也可以實現(xiàn)出色的均勻性。 R-200 standard原子層沉積配備了功能強(qiáng)大且易于更換的液態(tài)，氣態(tài)和固態(tài)化學(xué)物質(zhì)前體源。與手套箱，粉末室和各種原位分析系統(tǒng)集成，無論您現(xiàn)在的研究領(lǐng)域是什么，或以后可能成為什么樣的研究領(lǐng)域，都可以進(jìn)行高效，靈活的研究，并獲得良好的結(jié)果。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如IC組件，MEMS器件，顯示器，LED，激光和3D對象，例如透鏡，光學(xué)器件，珠寶，硬幣和醫(yī)療植入物。熱ALD研究工具的市場領(lǐng)dao者。它已成為創(chuàng)新驅(qū)動的公司和研究機(jī)構(gòu)的shou選工具。
科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD技術(shù)指標(biāo)

襯底尺寸和類型	50 – 200 mm /單片
	zui大可沉積直徑150 mm基片，豎直放置，10-25片/批次（根據(jù)工藝）
	156 mm x 156 mm 太陽能硅片
	3D 復(fù)雜表面襯底（使用Showerhead噴灑淋浴模式效果更佳）
	粉末與顆粒（配備擴(kuò)散增強(qiáng)器）
	多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
工藝溫度	50 – 500 °C, 可選更高溫度（真空腔體外壁不用任何冷卻方式即可保持溫度低于60 °C）
基片傳送選件	氣動升降（手動裝載）
	預(yù)真空室安裝磁力操作機(jī)械手（Load lock ）
前驅(qū)體	液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源
	4根du立源管線，zui多加載6個前驅(qū)體源
	對蒸汽壓低的前驅(qū)體(1mbar~10mbar)，用氮?dú)獾容d氣dao入前驅(qū)體瓶內(nèi)引出
重量	350kg
尺寸（ W x H x D)）	取決于選件
	zui小146 cm x 146 cm x 84 cm
	zui大189 cm x 206 cm x 111 cm
選件	PICOFLOW™擴(kuò)散增強(qiáng)器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設(shè)計，手套箱集
	成（用于惰性氣體下裝載）。
驗收標(biāo)準(zhǔn)	標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗收標(biāo)準(zhǔn)為 Al2O3 工藝

應(yīng)用領(lǐng)域
客戶使用PICOSUN™ R系列ALD 設(shè)備在150mm和200mm（6”和8”）晶圓上所沉積薄膜厚度均勻性數(shù)據(jù)。

材料	非均勻性(1σ)
AI2O3 (batch)	0.13%
SiO2 (batch)	0.77%
TiO2	0.28%
HfO2	0.47%
ZnO	0.94%
Ta2O5	1.00%
TiN	1.10%
CeO2	1.52%
Pt	3.41%