襯底尺寸和類型
● 200mm 晶圓 25片/批次（標準間距）
● 150mm 晶圓 50片/批次（標準間距）
● 100mm 晶圓 75片/批次（標準間距）
● 非標準晶圓類基底（使用定制夾具）
● 高深寬比基底（深寬比 1 : 2500）
工藝溫度
● 50°C – 500°C
標準工藝
● 批量生產的平均工藝時間小于 10 秒/循環*
● Al2O3，SiO2，Ta2O5，HfO2，ZnO，TiO2，ZrO2，AlN，TiN 及各種金屬
● 同一批次薄膜不均勻性 < 1% 1σ，(Al2O3，WIW，WTW，B2B，49pts，5mm EE)**
基片加載
● 氣動升降
● 手動裝載
● 線性半自動裝載
前驅體
● 液態，固態，氣態，臭氧源
● 源瓶余量傳感器，提供清洗和裝源服務
● 4 根獨立的源管線，最多加載 8 個前驅體源
| 產品名稱 | 參考價 | 地區 | 公司名稱 | 更新時間 | |
|---|---|---|---|---|---|
| R-200 Advance 原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價 |
| R-200 Standard 原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價 |
| 等離子體增強原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-10 | 在線詢價 |
| 芬蘭Picosun原子層沉積系統 | 面議 | 廣州市 | 廣州納儀科技有限公司 | 2024-05-12 | 在線詢價 |
| 等離子體增強原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-01-19 | 在線詢價 |
| P-300B 原子層沉積系統 | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-01-17 | 在線詢價 |
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