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  • B1505A 功率器件分析儀

B1505A 功率器件分析儀

參考價
面議
具體成交價以合同協議為準
  • 型號
  • 品牌
  • 所在地上海
  • 更新時間2024-08-07
  • 廠商性質其他
  • 所在地區上海
  • 實名認證已認證
  • 產品數量167
  • 人氣值635
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上海德竹芯源科技有限公司是一家專注于功率器件、光電器件、射頻器件、量子器件、MEMS傳感器領域的設備銷售、系統集成、設備國產化的公司。主要為高校、研究所、中試量產線及晶圓FAB廠提供半導體工藝設備、檢測設備、封裝設備、測試設備。目前公司已成為國內少數幾家專業提供半導體工藝、檢測、封裝、測試整體解決方案的企業。公司主要成員為復旦大學、上海微系統所等半導體相關專業博士,擁有一支經驗豐富、技術過硬的團隊。能夠出色地完成售前售中、售后的服務。目前公司已與眾多國際半導體設備企業建立了良好的合作關系(如:EVG、SAWNATEC、SENTECH、PICOSUN、SYSKEY、 Mavemn Panalyrical、PHL-CHINA、TEMPRESS,ROHDE&SCHWARZ、MPI等),致力于根據用戶的科研方向和量產的器件類別提供相應的全套設備選型和工藝整體解決方案。
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Keysight B1505A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀能對 sub-pA 電平至 10 kV 和 1500 A 的高功率器件進行表征的綜合解決方案。這些功能可以對的器件(例如 IGBT)和材料(例如 GaN 和 SiC)進行測量。B1505A 支持各種模塊:高電壓、強電流、電流、超高電壓模塊和高電壓中等電流模塊。B1505A 還支持:高功率、中等功率、中等電流和多頻電容測量單元。B15......
B1505A 功率器件分析儀 產品詳情

廣泛的工作條件與精密測量功能相結合

適合功率器件表征的綜合解決方案,高達 1500 A 和 10 kV

中等電流測量和高電壓偏置(例如,500 mA,1200 V)

μΩ 導通電阻測量功能

高電壓偏置時,可進行精確的 sub-pA 電平電流測量

在 -50℃ 至 +250℃ 溫度范圍內進行全自動熱測試


廣泛的器件測量功能

可在高達 3000 V 直流偏置時執行全自動電容測量(Ciss、Coss、Crss 等)

10 μs 高功率脈沖測量

封裝器件和晶圓上 IGBT/FET 柵極電荷測量

高電壓/強電流快速切換選件,適用于 GaN 電流崩塌效應表征

多達 5 個高電壓(3 kV)電源/測量通道,提供大靈活性

通過互鎖測試夾具執行安全的與溫度相關的測試


改進的測量效率

在高電壓和強電流測量之間自動切換,無需重新布線

自動測試電路形成,可用于封裝器件和晶圓上器件的晶體管結電容(Ciss、Coss、Crss、Cgs、Cgd、Cds 等)測量

具有互鎖機制的標準測試夾具,可進行封裝功率器件測試

支持高達 200 A 和 10 kV 的高功率晶圓上測試

示波器視圖支持對應用電壓和電流波形的驗證

MS Windows EasyEXPERT 軟件簡化了數據管理和分析流程


可升級和可擴展的硬件體系結構

廣泛的測量模塊選擇

支持具有高達 6 個連接引腳的高功率器件


Keysight B1505A 功率器件分析儀/曲線追蹤儀能夠對 sub-pA 電平至 10 kV 和 1500 A 的高功率器件進行表征的綜合解決方案。這些功能可對新器件(例如 IGBT)和材料(例如 GaN 和 SiC)進行測量。B1505A 支持各種模塊:高電壓 SMU(HVSMU)、強電流 SMU(HCSMU)、電流(UHC)模塊、超高電壓(UHV)模塊和高電壓中等電流(HVMC)模塊。B1505A 還支持:高功率 SMU(1 A/200 V)、中等功率 SMU(100 mA/100 V)、中等電流 SMU(1 A/30V 脈沖,100 mA/30V 直流)和多頻電容測量單元(1 kHz – 5 MHz)。B1505A的10 插槽模塊化主機支持您對其進行配置,以滿足您的測量需求。


它還能在高電壓偏置(高達3000 V)時執行全自動電容測量,例如 Ciss、Coss 和 Crss,也能輕松地測試高頻開關轉換器的另一個重要參數——柵極電荷。還支持在 -50℃ 至 +250℃ 溫度范圍內進行自動熱表征。


B1505A 軟件環境以 Microsoft® Windows® 7 操作系統為基礎,包括曲線追蹤儀,支持用戶檢測器件特征和探測器件故障。如同使用曲線追蹤儀一樣,B1505A 提供旋鈕控制可變掃描功能,可對參數(例如擊穿電壓)進行實時測量。B1505A 還提供“示波器查看功能”,可直觀地幫助操作人員優化應用于器件的電壓和電流。測量設置信息和數據可自動存儲到 B1505A 的內置硬盤,并復制到USB閃存和其他便攜存儲器件。將器件測量結果匯總之后,測量數據可輕松復制到工程報告中。


強大的測試夾具解決方案對于確保操作人員安全(由于生成的高電壓和強電流)和支持各種功率器件封裝類型極為重要。以前的傳統曲線追蹤儀受功率器件大小的限制,無法對某些功率器件進行測試,而且有時為了測試某一器件必須臨時裝配適配器。然而不論器件的大小或形狀如何,B1505A 的測試夾具可連接各種器件,例如功率 MOSFET、二極管和 IGBT 等。這可以通過大型測試夾具適配器和定制的測試夾具模塊來實現。此外,測試夾具的內置互鎖機制可確保在測試器件過程中安全地應用高電壓和強電流。


模塊選型指南

高功率 SMU(HPSMU)

所需模塊/擴展器:B1510A HPSMU

所需插槽數:2

配置:4

主要技術指標:高達 200 V、1 A,10 fA 電流分辨率


中等功率 SMU(MPSMU)

所需模塊/擴展器:B1511B MPSMU

所需插槽數:1

配置:10

主要技術指標:高達 100 V、100 mA,10 fA 電流分辨率


強電流 SMU(HCSMU)

所需模塊/擴展器:B1512A HCSMU

所需插槽數:2

配置:2

主要技術指標:20 A/20 V(脈沖);1 A/40 V(直流)*1


高電壓 SMU(HVSMU)

所需模塊/擴展器:B1513C HVSMU

所需插槽數:2

配置:5

主要技術指標:1500 V/8 mA;3000 V/4 mA(脈沖和直流)


中等電流 SMU(MCSMU)

所需模塊/擴展器:B1514A MCSMU

所需插槽數:1

配置:6

主要技術指標:1 A/30 V(脈沖);100 mA/30 V(直流)


多頻電容測量單元(MFCMU)

所需模塊/擴展器:B1520A MFCMU

所需插槽數:1

配置:1

主要技術指標:1 kHz 至 5 MHz;0 至 ±25 V,使用 MFCMU 內部直流偏置、0 至 ±3000 V,使用 HVSMU和高電壓偏置 T 型接頭


高電壓中等電流單元(HVMCU)

所需模塊/擴展器:M1266A HVSMU 電流擴展器、B1513B HVSMU 和兩個 B1514A MCSMU/B1512A HCSMU

所需插槽數:4 - 6

配置:1

主要技術指標:±1500 V / 2.5 A(脈沖),±2200 V/ 1.1 A(脈沖)


電流單元(UHCU)

所需模塊/擴展器:N1265A 電流擴展器/夾具和兩個 B1514A MCSMU/B1512A HCSMU

所需插槽數:2 - 4

配置:1

主要技術指標:1500 A/ 60 V(脈沖),22.5 kW 峰值功率、±500 A / 60 V(脈沖),7.5 kW 峰值功率


超高電壓單元(UHVU)

所需模塊/擴展器:N1268A 超高電壓擴展器和兩個 B1514A MCSMU 或 B1512A HCSMU 和 B1514A MCSMU 組合

所需插槽數:2 - 3

配置:1

主要技術指標:10 kV/10 mA(直流),10 kV/ 20 mA(脈沖)

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