● 常壓工藝：燒結、合金、退火、含氫退火等工藝，特殊低溫爐體（<500°C）

● 干氧/擴散 Max .1350°C，薄柵氧（60 Angstrom），可配置 Trans LC or HCL

● 濕氧，帶水冷外點火氫氧合成，水汽注入厚氧工藝 up to 16 Micron，可配置 Trans LC or HCL

● POCl₃ / BBr₃ 擴散工藝，用于半導體器件工藝

● 支持 6 ~ 12 寸的晶圓

● 有保證的工藝指標

● 可提供多種標準工藝和定制化工藝

主要系統特性

● 提供多用途大氣和 CVD 處理室，適用于任何類型的硅片，即 100mm - 300mm 圓形（半導體）晶圓，125 – >156mm 方形（太陽能）晶圓

● 批量處理每管 25 至 1000 片晶圓

● 設備模塊化設置，1 - 4 管。空管將來可以通過附加/新加工進行改造

● 大氣工藝：退火（N₂，成型氣體），干/濕氧化物，POCl₃，BBr₃

● LPCVD 工藝：摻雜/未摻雜的多晶硅、氮化硅、三通硅、低相色譜、HTO、西波士

● ALD：Al₂O₃，TiO₂，HfO₂

● 提供小尺寸、手動加載或全自動晶圓傳輸工具

客戶利益

● 從實驗室到晶圓廠：從實驗室規模到大批量生產，多種工藝都可輕松更換

● 提供完整的流程和服務支持團隊，直接從Tempress總部

● 高度靈活地選擇加工

● 系統都是向后兼容的。這保證了在將來的任何時候為您的Tempress爐設備提供全面支持

● 獲得Tempress在半導體加工方面的全面內部知識，這些知識也可應用于太陽能電池制造解決方案