電感耦合等離子體刻蝕設備
Inductively Coupuled Plasma Reactive Ion Etching - ICPRIE
SI 500 基于 ICP 等離子體源 PTSA，動態溫度控制的襯底電極，全自動控制的真空系統，使用遠程現場總線技術的的 SETECH 控制軟件和用于操作 SI 500 的用戶友好的通用接口。靈活性和模塊化是 SI 500 主要的設計特點。可用于加工各種各樣的襯底，從直徑高達 200 mm 的晶片到裝載在載片器上的零件。單晶片預真空室保證穩定的工藝條件，且切換工藝非常容易。通過配置可用于刻蝕不同材料，包括但不于例如三五族化合物半導體 (GaAs, InP, GaN, InSb)，介質，石英，玻璃，硅和硅化合物 (SiC, SiGe)，還有金屬等。 SENTECH 提供用戶不同級別的自動化程度，從真空片盒載片到一個工藝腔室到六個工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統，目標是高靈活性或高產量。SI 500 ICP 等離子刻蝕機也可用作多腔系統中的工藝模塊。
設備主要特點：
● 自主研發的ICP等離子源：三螺旋平行板天線 (PTSA) 等離子源是 SENTECH 等離子體工藝設備的屬性。PTSA 源能生成具有高離子密度和低離子能量的均勻等離子體。它具有高耦合效率和非常好的起輝性能，非常適用于加工各種材料和結構。
● 高速刻蝕：對于具有高深寬比的高速硅基 MEMS 刻蝕，光滑的側壁可通過室溫下氣體切換工藝或低溫工藝即可很容易地實現。
● 低損傷刻蝕：由于離子能量低，離子能量分布帶寬窄，因此可以用等離子體刻蝕機 SI 500 進行低損傷刻蝕和納米結構的刻蝕。
● 動態溫度控制：在等離子體刻蝕過程中，襯底溫度的設定和穩定性對于實現高質量蝕刻起著至關重要的作用。動態溫度控制的 ICP 襯底電極結合氦氣背冷和基板背面溫度傳感，可在 -150°C 至 +400°C 的廣泛溫度范圍內提供優良的工藝條件。
應用展示：
SI 500
● ICP 等離子刻蝕機
● 帶預真空室
● 適用于 200 mm 的晶片
● 襯底溫度從 -20?°C 到 300?°C
SI 500 C
● 等溫 ICP 等離子刻蝕機
● 帶傳送腔和預真空室
● 襯底溫度從 -150?°C 到 400?°C
SI 500 RIE
● RIE 等離子刻蝕機
● 背面氦氣冷卻刻蝕的智能解決方案
● 電容耦合等離子體源，可升級成 ICP 等離子體源 PTSA
SI 500-300
● ICP 等離子刻蝕機
● 帶預真空室
● 適用于 300 mm 晶片
