產品應用
• 設備用于Lidar應用激光器芯片、工業級高功率激光器，醫療與顯示等高功率激光器芯片領域
產品特點
• 支持多種主流規格料盒，全自動上下料，避免轉料或人工操作對巴條chip造成的報廢
• 支持BAR條自動上料、首顆chip識別定位，支持ID識別、自動測試、自動判斷BAR條測試結束、自動下料
• 吸嘴、探針與BAR條接觸壓力可調
• 自制4探針結構，支持四線制電壓測試，電流加電回路低電感設計，支持ns級窄脈沖輸出,2個針P極，2個針N極；探針結構支持探針下壓力可控調節、支持壓力檢測
• 集成自主開發的大電流30A、窄脈沖100ns測試儀表，支持BAR條LIV、光譜、遠場測試
• 典型LIV測試曲線
• 支持MAP圖繪制，方便用戶對wafer的性能分布情況分析
• 支持NG Chip打點標記，支持簡單的芯片外觀檢查
• 支持常溫、高溫測試
• 多維度可調測量結構，滿足用戶對不同規格巴條測量需求
| 參 數 | 指 標 |
| 適用巴條尺寸 | 長度：15~30mm 寬度：1~3mm，其他BAR條寬度可定制測試臺 |
| 脈沖電流輸出 | 范圍0~30A，精度0.5%rdg±200mA |
| 脈沖特性 | 最小脈寬：100ns，占空比：0.1% |
| 脈沖電壓測量 | 范圍0~40V，精度0.5%rdg±200mV 四線制，峰值檢測 |
| 脈沖電流測量 | 范圍0~30A，精度0.5%rdg±200mA，峰值檢測 |
| 光功率測量 | 等效光電流檢測量程和精度： 范圍0~5mA，0.5%rdg±25uA，峰值檢測 基礎配置支持100W輸入光功率，不同功率范圍可配置不同的衰減片，支持定制 |
| 遠場發散角測試 | 范圍±45° |
| 測試效率 (典型值)[1] | 單顆chip單溫度測試時間： LIV+光譜（1個電流點）+ID識別+機械運動總時間<9s（不包含上下料運動時間） |
| 波長范圍 | 默認PD:800-1700 nm，短波長可選配400-1100的PD |
| 高溫臺溫控范圍 | 室溫+15～85℃，精度<±1℃ |
| 工作臺溫度串擾 | 高溫臺@85℃，常溫臺相對室溫不高于3℃ |
| 常溫臺溫控范圍 | 25~50℃，精度±1℃ |
| 設備尺寸 | 含信號燈及顯示器，1250mm×1070mm×1900mm(L×W×H) |
| 氣源要求 | 正壓：不低于0.4MPa 負壓：如有，不高于-80KPa |
