產(chǎn)品應(yīng)用
• 設(shè)備用于Lidar應(yīng)用激光器芯片、工業(yè)級(jí)高功率激光器,醫(yī)療與顯示等高功率激光器芯片領(lǐng)域
產(chǎn)品特點(diǎn)
• 支持多種主流規(guī)格料盒,全自動(dòng)上下料,避免轉(zhuǎn)料或人工操作對(duì)巴條chip造成的報(bào)廢
• 支持BAR條自動(dòng)上料、首顆chip識(shí)別定位,支持ID識(shí)別、自動(dòng)測(cè)試、自動(dòng)判斷BAR條測(cè)試結(jié)束、自動(dòng)下料
• 吸嘴、探針與BAR條接觸壓力可調(diào)
• 自制4探針結(jié)構(gòu),支持四線制電壓測(cè)試,電流加電回路低電感設(shè)計(jì),支持ns級(jí)窄脈沖輸出,2個(gè)針P極,2個(gè)針N極;探針結(jié)構(gòu)支持探針下壓力可控調(diào)節(jié)、支持壓力檢測(cè)
• 集成自主開(kāi)發(fā)的大電流30A、窄脈沖100ns測(cè)試儀表,支持BAR條LIV、光譜、遠(yuǎn)場(chǎng)測(cè)試
• 典型LIV測(cè)試曲線
• 支持MAP圖繪制,方便用戶對(duì)wafer的性能分布情況分析
• 支持NG Chip打點(diǎn)標(biāo)記,支持簡(jiǎn)單的芯片外觀檢查
• 支持常溫、高溫測(cè)試
• 多維度可調(diào)測(cè)量結(jié)構(gòu),滿足用戶對(duì)不同規(guī)格巴條測(cè)量需求
參 數(shù) | 指 標(biāo) |
適用巴條尺寸 | 長(zhǎng)度:15~30mm 寬度:1~3mm,其他BAR條寬度可定制測(cè)試臺(tái) |
脈沖電流輸出 | 范圍0~30A,精度0.5%rdg±200mA |
脈沖特性 | 最小脈寬:100ns,占空比:0.1% |
脈沖電壓測(cè)量 | 范圍0~40V,精度0.5%rdg±200mV 四線制,峰值檢測(cè) |
脈沖電流測(cè)量 | 范圍0~30A,精度0.5%rdg±200mA,峰值檢測(cè) |
光功率測(cè)量 | 等效光電流檢測(cè)量程和精度: 范圍0~5mA,0.5%rdg±25uA,峰值檢測(cè) 基礎(chǔ)配置支持100W輸入光功率,不同功率范圍可配置不同的衰減片,支持定制 |
遠(yuǎn)場(chǎng)發(fā)散角測(cè)試 | 范圍±45° |
測(cè)試效率 (典型值)[1] | 單顆chip單溫度測(cè)試時(shí)間: LIV+光譜(1個(gè)電流點(diǎn))+ID識(shí)別+機(jī)械運(yùn)動(dòng)總時(shí)間<9s(不包含上下料運(yùn)動(dòng)時(shí)間) |
波長(zhǎng)范圍 | 默認(rèn)PD:800-1700 nm,短波長(zhǎng)可選配400-1100的PD |
高溫臺(tái)溫控范圍 | 室溫+15~85℃,精度<±1℃ |
工作臺(tái)溫度串?dāng)_ | 高溫臺(tái)@85℃,常溫臺(tái)相對(duì)室溫不高于3℃ |
常溫臺(tái)溫控范圍 | 25~50℃,精度±1℃ |
設(shè)備尺寸 | 含信號(hào)燈及顯示器,1250mm×1070mm×1900mm(L×W×H) |
氣源要求 | 正壓:不低于0.4MPa 負(fù)壓:如有,不高于-80KPa |