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上科大拓撲物理實驗室郭艷峰課題組在低維磁性材料研究方向取得進展

研發快訊 2025年03月19日 13:15:41來源:上??萍即髮W物質科學與技術學院 3779
摘要近日,上??萍即髮W拓撲物理實驗室郭艷峰課題組與合作者對Ni摻雜vdW鐵磁材料Fe3GaTe2進行了詳細研究,揭示了Ni原子替代Fe原子的路徑圖及對體系磁性的影響。該成果發表于國際學術期刊《納米快報》(Nano Letters)。

  【儀表網 研發快訊】范德瓦爾斯(vdW)鐵磁材料FenGeTe2 (n = 3, 4, 5) 及Fe3GaTe2具有可調的近室溫的居里溫度TC以及可控的斯格明子等特性,在磁存儲等自旋電子學應用方面前景廣闊。研究表明,該體系的TC與其Fe位密切相關,因此,深入理解Fe位在磁交換模型中的作用具有重要意義。原子替代是研究量子材料物理性質的有效手段,曾在超導序參量對稱性研究中扮演過重要角色。近期,對FenGeTe2的原子替代研究表明,用Co或Ni替代Fe會抑制Fe3GeTe2的磁性,但Ni替代Fe甚至可以將Fe5GeTe2的TC提高至~ 480 K,而Co替代導致反鐵磁態。而在Fe3GaTe2中,少量Co或Ni替代顯著抑制TC。這些復雜的替代現象背后機制撲朔迷離。以下幾個問題亟待澄清:雜質原子是否替代了Fe? 雜質原子替代了哪個Fe位?如雜質原子替代了不同Fe位,其順序如何?
 
  近日,上??萍即髮W拓撲物理實驗室郭艷峰課題組與合作者對Ni摻雜vdW鐵磁材料Fe3GaTe2進行了詳細研究,揭示了Ni原子替代Fe原子的路徑圖及對體系磁性的影響。該成果發表于國際學術期刊《納米快報》(Nano Letters)。
 
  六方晶系vdW鐵磁材料Fe3GaTe2具有高達 ~ 380 K的TC,是目前該體系中最高的。它與Ni3GaTe2具有相似的晶體結構,包括相同的Fe1/Ni1和Fe2/Ni2原子占位,但Ni3GaTe2中Ni原子在vdW層間亦有分布,形成原子占有率為0.25的Ni3位,同時導致Ni1位的原子占有率僅為0.75。郭艷峰課題組對Fe3GaTe2進行Ni替代Fe的摻雜研究發現,隨著Ni摻雜增加,(Fe1-xNix)3GaTe2的磁有序溫度與飽和磁化強度都先出現迅速減弱,隨后減弱趨于平緩。為了厘清 (Fe1-xNix)3GaTe2(x = 0.0 - 1.0)中Ni原子替代Fe原子的詳細情況,郭艷峰課題組與華東師大楊振中、屈可教授課題組合作,利用球差電鏡對(Fe1-xNix)3GaTe2原子結構進行了細致研究。研究揭示,在低摻雜(x < 0.1)情況下,Ni首先進入vdW層間間隙,形成占據為0.25的Ni3位(圖2)。繼續增加Ni摻雜量,Ni開始占據Fe2位。當x > 0.75時,Ni開始占據Fe1位,直至完全占據,成為Ni3GaTe2。理論計算結果表明,在Ni3位占據0.25,即x = 0.083(1/12)以后,繼續增加Ni,則Ni原子占據Fe2位時的總能量最低,進一步證明Ni原子第二步占據Fe2位,與電鏡結果相符(圖3)。
 
  圖1. a.和b. Fe3GaTe2及Ni3GaTe2的晶體結構示意圖;c. (Fe1-xNix)3GaTe2的TC及2K溫度下飽和磁化強度隨Ni摻雜含量x的變化情況。
 
  圖2. a-b. x = 0.05, 0.36在高角環形暗場像下的原子結構圖;c-d. x = 0.05, 0.36在明場像下的原子結構圖;e-f. x = 0.36樣品Ni和Fe的EDS圖;g-h. x = 0.36樣品Ni和Fe水平和垂直方向線掃強度分布圖。
 
  圖3. a-c. x = 1/8時Ni進一步占據Ni3位,Fe1位與Fe2位時的結構以及對應的能量(注:最低能量的結構設為零能點以便對比);d. 不同摻雜濃度下2K時的磁化強度形狀。
 
  理論計算表明,Ni取代使能帶的色散性減弱,并且雜質能帶減少了巡游磁性。在Ni取代過程中,產生的Fe空位引發了局域磁性,從而增強了關聯效應。因此,(Fe1-xNix)3GaTe2由于Ni摻雜引起的Fe空位同時具有局域磁性和巡游磁性。在Ni取代的第一步,即當Ni形成層間Ni3位時,每個Ni原子的磁矩減少了約4.1 μB,表明取代的Ni原子顯著削弱了巡游磁性。在第二步中,取代的Ni原子占據Fe2位,每個Ni原子的磁矩減少了2.5 μB。因此與第一步相比,鐵磁的抑制較為平緩,因為(Fe/Ni)2位仍然保留了巡游電子的導電通道,這與磁化測量結果一致。此外,Fe空位對鐵磁交換有顯著影響。當x = 1/24時,假設在沒有Fe空位的層中,取代的Ni原子將Ni原子附近Fe2位點之間的鐵磁交換相互作用從26 meV降低到17.9 meV。當層中存在Fe空位時,Fe空位顯著影響了其他磁性位點之間的交換相互作用。例如,空位附近的Fe1和Fe2之間的交換積分增加到13.1~20.8 meV,遠大于Fe3GaTe2中的8.8 meV。因此,Fe空位和Ni摻雜同時導致了(Fe23/24Ni1/24)3GaTe2中的不均勻性,并顯著影響了磁交換作用。
 
  該研究結合實驗測量及理論計算,直觀地給出了Fe3GaTe2中Ni取代Fe的Ni3→Fe2→Fe1三步替代路徑圖,不僅為Fe3GaTe2不同Fe位在其磁交換中的作用提供了清晰的理解,也為未來其它量子材料的雜質替代研究奠定了范式。
 
  上海科技大學為該研究成果第一完成單位,上科大郭艷峰課題組博士生袁健、侯驍飛,碩士研究生張濱朔,華東師范大學碩士研究生王號南為論文共同第一作者,湖南大學張世豪教授、南開大學付學文教授、華東師范大學屈可教授和上海科技大學郭艷峰教授為共同通訊作者。上科大拓撲物理實驗室陳宇林教授、大科學中心柳學榕教授對本工作提出了寶貴建議。

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