摘要 二手刻蝕機現貨供應PSKEVOLITE2，2011年設備，可對12英寸晶圓進行蝕刻工藝加工

摘要 二手刻蝕機現貨供應PSKSUPRAIII，2013年設備，可對12英寸的晶圓進行刻蝕工藝處理

摘要 二手刻蝕機現貨供應PSKSUPRAVM，2013年設備，可對12英寸晶圓進行加工處理

摘要 二手PSK刻蝕機TERA21現貨供應，2004年設備，能對12英寸晶圓進行加工，打包封裝完成隨時可以發貨

摘要 二手刻蝕機現貨供應SAMCOICP-RIE-212IP，ICP刻蝕系統，2007年設備，封裝完成，隨時發貨

摘要 二手刻蝕機現貨供應SAMCOPD-160IP，2001年設備，高密度等離子氣相化學沉積系統

摘要 SAMCO二手刻蝕機PD-200D現貨供應，1996年設備，可對8英寸晶圓進行刻蝕處理，便宜處理，隨時發貨

摘要 SAMCO二手刻蝕機RIE-10N現貨供應，1996年設備，可對8英寸大小的晶圓進行蝕刻處理

摘要 SAMCO二手刻蝕機現貨供應RIE-200IP，2007年設備，IC等離子刻蝕

摘要 二手刻蝕機現貨供應SAMCORIE-200IPC，2006年設備，已打包封裝完成，隨時發貨

摘要 二手翻新現貨SAMCO刻蝕機RIE-200L，2004年設備，現貨，可隨時發貨

摘要 SAMCO刻蝕機RIE-200NL現貨供應，2007年設備，RIE反應離子刻蝕機

摘要 SAMCO刻蝕機RIE-212IPC二手現貨供應，2009年設備，針對8英寸晶圓的ICP刻蝕系統

摘要 SAMCO刻蝕機RIE-331IPC，2012年設備，干法刻蝕系統

摘要 SAMCO刻蝕機UV-2二手現貨供應,2018年新設備，可對6-8英寸的晶圓進行處理

摘要 SAMCO刻蝕機UV-300H二手現貨供應，2007年設備，可隨時發貨

摘要 ULVACCE-300I二手刻蝕機現貨供應，2007年設備，處理3英寸晶圓，刻蝕材料：Mo,TiN,NbN,Si

摘要 ULVAC刻蝕機ENVIROII現貨供應，2009年設備，可加工8英寸晶圓

摘要 ULVAC刻蝕機FRE-200E二手現貨，2012年設備，打包完成，隨時發貨

摘要 ULVAC刻蝕機NA1000二手現貨供應，2006年Plasmaasher設備

摘要 ULVACNE550二手刻蝕機，2005年設備，打包完成，現貨供應，隨時發貨

摘要 二手刻蝕機ULVACNE-730，2002年設備，ICP干法刻蝕系統

摘要 ULVACNE-5700二手刻蝕機，2007年設備，可對6英寸晶圓進行干法蝕刻工藝處理

摘要 ULVACNE-7000二手刻蝕機現貨，1996年設備，加工4英寸晶圓，金屬刻蝕機

摘要 ULVAC二手刻蝕機NE-950EX現貨供應，2011年設備，干法刻蝕機

摘要 ULVACPHOENIX愛發科二手刻蝕機現貨，1998年設備，可對6-8英寸的晶圓進行蝕刻處理

摘要 ULVAC二手現貨刻蝕機RMD-200M，2000年設備，多腔室，可對12英寸晶圓進行加工

摘要 CANON/ANELVA刻蝕機I-1060SVIIPLUS-1，2003年設備，可針對8英寸晶圓進行刻蝕工藝處理

摘要 CANON/ANELVA刻蝕機ILD4100，2005年設備，打包封裝完成，隨時可以發貨

摘要 SEZ/LAMRESEARCH刻蝕機203二手現貨供應，旋轉刻蝕機，可對4-8英寸的晶圓進行蝕刻加工處理

摘要 SEZ/LAMRESEARCH304刻蝕機二手現貨供應，2004年設備，旋轉刻蝕機

摘要 SEZ/LAMRESEARCH刻蝕機323現貨供應，2012年設備，可加工8~12英寸晶圓

摘要 SEZ / LAM RESEARCH 刻蝕機4300二手現貨供應

摘要 GASONICS/NOVELLUSPEPIRIDIADL二手刻蝕機現貨制造商：GASONICS/NOVELLUS模型：PEPIRIDIADL類別：ETCHERS/ASHERS年份：2006年晶圓尺寸：8"設備詳情：Stripper/Asher

摘要 GASONICS/NOVELLUSSIERRA刻蝕機二手現貨供應，已打包封裝完成，下單即可發貨

摘要 二手刻蝕機OXFORDPLASMALAB100現貨供應，2000年設備，可多3~8英寸的晶圓進行加工處理

摘要 離子束刻蝕IBE

摘要 CIONE系列Mini 等離子反應離子刻蝕機

摘要用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產型ALD;具備近100種膜層工藝。應用領域：芯片封裝、半導體High-k介電層、納米涂層、3D涂層、鋰電池、催化劑、太陽能電池、5G通訊（SAW器件...

摘要Laser MBELaser MBE特點模塊化概念，Laser MBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊UHV PLD主腔室、利用Load-lock實現襯底和靶材的UHV傳輸*的工藝自動化功能，可實現超晶格生長溫度測量準確的耐氧襯底加熱器，1000 ℃，也可以選配激光加...

摘要 這款蝕刻和清潔系統專為滿足當今晶圓、光掩模和基板的前沿應用的特殊工藝需求而設計。

摘要RIE反應離子刻蝕機NRE-3500（A）全自動RIE反應離子刻蝕機概述：獨立式RIE反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持到...

摘要 專業的沉積設備制造商，為各個領域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發系統、熱蒸發系統、超高真空蒸發系統、分子束外延MBE、有機分子束沉積OMBD、等離子增強化學氣相淀積系統PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等。

摘要NRE-4000型RIE-PE刻蝕機：提供PC控制的PE刻蝕RIE刻蝕一體機，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持Z大到12“的晶圓...

摘要NRE-3000型RIE-PE刻蝕機：PC控制的RIE刻蝕PE刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設計...