摘要NRE-3500型RIE-PE刻蝕機：PC控制的RIE刻蝕PE刻蝕一體機，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設...

摘要 NIE-3500（A）全自動IBE離子束刻蝕：是一款自動放片/取片，并且工藝過程為全自動計算機控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統，可以用于表面清洗、表面處理、離子銑。

摘要 NIM-4000（M）離子銑刻蝕系統：利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過大面積離子源產生的離子束，可對固體材料濺射刻蝕，對固體器件進行微細加工。

摘要NIE-4000（A）全自動IBE離子束刻蝕：如銅和金等金屬不含揮發性化合物，這些金屬的刻蝕無法在RIE系統中完成。然而通過加速的Ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下，樣品表面采用厚膠作為掩模層，刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的...

摘要 NDR-4000（A）全自動DRIE深反應離子刻蝕：全自動上下載片，帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統，帶8“ ICP源。系統配套500L/S抽速的渦輪分子泵，可以使得工藝壓力達到幾mTorr的水平。在低溫刻蝕的技術下，系統可以達到硅片的高深寬比刻蝕。

摘要NRE-4000（ICPA）全自動ICP刻蝕系統：自動上下載片，帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統，系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果?？蓪崿F范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物（如GaAs，InP，GaN，InSb）、II-VI化合物、介...

摘要NRE-3000 反應離子刻蝕機：PC控制的RIE反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設計，真...

摘要NRE-3500（A）全自動反應離子刻蝕機：自動上下栽片，PC控制的RIE反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜，13“頂蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.2“觀察.該系統可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設計，真空泵可以達到10-6 To...

摘要NRE-4000（A）全自動反應離子刻蝕：獨立式RIE反應離子刻蝕系統，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品，不銹鋼柜子以及13“的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2“的視窗,另一個空置用于診斷.該系統可以支持Z大到12“的晶圓片。腔體為超凈設...

摘要 LAM 2300刻蝕

摘要 SAMCO二手翻新刻蝕系統刻蝕機RIE-10NR產品優勢：高度緊湊型設計，節約空間

摘要 AMAT沉積刻蝕設備蝕刻機P5000由半導體設備廠商美國應用材料公司(AppliedMaterials）生產，P5000系統是一臺成功的以單晶片、多反應室理念而設計的量產與研發均適用的半導體制程設備

摘要 愛發科ICP刻蝕設備刻蝕系統NE-550EXz現貨，電極的刻蝕效果好，能夠進行正確穩定的刻蝕重點效果檢測，具有維護便利、性能穩定、產能優良等特點

摘要Hakuto 全自動離子蝕刻機 MEL3100 具有良好的均勻性和高蝕刻率, 刻蝕均勻度: 5%, 硅片 Si 蝕刻速率 10 nm/min, 具有高冷卻效果.所有流程全自動減少人工操作, 從而保證了產品的無差錯、高穩定性和高質量.占用空間小, 容易維護和用戶操作友好...

摘要上海伯東日本小型 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE, 適用于科研院所, 實驗室研究, 干式制程的微細加工裝置, 特別適用于磁性材料, 金, 鉑及各種合金的銑削加工.Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 配置使用美國 KRI 8cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性:...

摘要上海伯東日本適合中等規模量產使用的 Hakuto 離子刻蝕機 20IBE-C. 無論使用什么材料都可以用來加工.蝕刻均勻性: 5%, 硅片 Si 刻蝕速率 20 nm/min, 樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0~90度旋轉, 因此射頻角度可以任意調整, 蝕刻可...

摘要上海伯東日本適合大規模量產使用的 Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J, 無論使用什么材料都可以用來加工.Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-J 配置使用美國 KRI 20cm 考夫曼離子源, 蝕刻均勻性: 5%, 硅片 Si 刻蝕速率20 nm/min, 樣品...

摘要 上海伯東日本離子蝕刻機 IBE 包含小型離子蝕刻機用于研究分析和大型離子蝕刻系統用于生產制造. Hakuto 離子蝕刻系統對磁性材料, 黃金, 鉑和合金金屬提供較佳蝕刻技術. 它很容易做各種材料的蝕刻.上海伯東是日本伯東 Hakuto 離子蝕刻機 IBE 中國總代理

摘要上海伯東日本適合小規模量產使用和實驗室研究的 Hakuto 離子蝕刻機 10IBE.蝕刻均勻性: 5%, 硅 Si 刻蝕速率20 nm/min, 樣品臺: 直接冷卻（水冷）0~90 度旋轉.Hakuto 離子蝕刻機 10IBE 內部使用美國 KRI 考夫曼離子源產生轟...

摘要 電子束實驗儀 型號：LDX-HN-EB-II產品介紹：　　該儀器是我廠根據我國教學大綱規定的內容研制的分組實驗儀器，通過定量測量來研究電子在各種電場和磁場中運動變化規律。