關鍵詞：RIE、RIBE、反應離子束刻蝕、CAIEB、化學輔助離子束刻蝕、
過渡金屬、磁性材料、MRAM、GMR、TMR、Pt、Cu、TeGe、PZT
型號：MU 450; 產地：歐洲；
應用：過渡金屬, PZT, 磁性材料(MRAM, GMR, TMR), Pt, Cu, TeGe 等;
代表性用戶：法國科學研究中心（CNRS）、意法半導體（ST）
基本配置如下：
主腔體：不銹鋼原著腔體
真空系統：采用35m3/h干泵+1600l/s全磁性分子泵
采用潘寧真空計、膜片真空計
真空度≤3×10-7mbar
20min 內抽真空到2×10-6mbar
樣品臺：馬達驅動、水冷可接納4/6英寸襯底，
可以旋轉，轉速2-20rpm，
可以在0-180°傾斜，精度和可重復性優于0.1°
樣品臺傾斜不改變襯底與離子源之間的距離
ICP源：束能100-1000eV，束流＞500mA@1000eV
均勻性：±3% on 90mm, ±6% on 140 mm
氣路：兩條氬氣氣路，分別配置MFC（50sccm，10sccm）
刻蝕監控：SIMS，分子泵240l/s+機械泵5m3/h，潘寧/皮拉尼真空計
Z方向運動：馬達驅動，量程75mm
濺射源：3英寸磁控陰極帶靶源
氧氣氣路，配帶10sccm MFC
馬達驅動高度方向移動，量程100mm
13.56MHz，300W 射頻電源
均勻性優于±5%@100mm
控制系統：全自動控制，半自動和手動模式可用
支持多級用戶權限設置和管理
支持設備遠程操作、監控、診斷和維護
系統自動報警及定位故障
