應用：用于SOI，MEMS，化合物半導體和高級襯底鍵合的低溫鍵合等離子體活化系統

一、簡介

EVG810 LT （LowTemp™）低溫鍵合等離子活化系統是一個單獨的單腔室系統，具有手動操作功能。 處理室允許非原位處理（晶片一個接一個地活化并且鍵合在等離子體活化室外部）。

二、特征

用于低溫鍵合的表面等離子體活化（熔合/分子和中間層鍵合）

任何晶圓鍵合機制的zui快動力學

無需濕法工藝

低溫退火時的zui高鍵合強度（zui高400°C）

適用于SOI，MEMS，化合物半導體和封裝

高度的材料兼容性（包括CMOS）

三、參數

1.晶圓尺寸：50-200mm，100-300mm

2.低溫等離子活化腔：

工藝氣體：2種標準工藝氣體（N2和O2）

通用大流量控制器：自校準（高達20.000 sccm）

真空系統：0.09 mbar

打開/關閉腔室：自動化

裝載/卸載腔室：手動（晶圓/基板放置在裝載銷上）

3.備選功能：

用于不同的晶圓尺寸的夾頭

金屬離子活化

帶有氣體混合的附加工藝氣體

帶渦輪泵的高真空系統：0.009 mbar的基礎氣壓

4.符合LowTemp™等離子活化鍵合的材料系統

Si：Si / Si，Si / Si（熱氧化，Si（熱氧化）/ Si（熱氧化）

TEOS / TEOS（熱氧化）

絕緣體鍺（GeOI）的Si / Ge

硅/Si3N4

玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃

化合物半導體：GaAs，GaP，InP

聚合物：PMMA，環烯烴聚合物

用戶可以針對上述內容和其他材料使用“已知方法”配方（可根據要求提供完整列表）